[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510225523.0 | 申请日： | 2015-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN106185790B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 郑超;马军德;王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 应战,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括提供衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；在所述衬底的第一表面上形成第一器件；形成覆盖衬底第一表面和第一器件的缓冲层；在所述缓冲层表面粘贴保护膜，所述保护膜具有孔洞结构，所述孔洞结构包含多个孔洞。上述半导体结构的形成方法可以避免缓冲层与保护膜之间形成气体鼓包，提高保护膜的保护性能以及后续工艺机台抓取衬底时的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；在所述衬底的第一表面上形成第一器件；形成覆盖衬底第一表面和第一器件的缓冲层，所述缓冲层具有平坦的表面；在所述缓冲层表面粘贴保护膜，所述保护膜具有孔洞结构，所述孔洞结构包含多个孔洞，所述孔洞排出缓冲层与保护膜之间的气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510225523.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于聚焦离子束注入的脆性材料纳米切削方法
- 下一篇：封装的传感器组件
