[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

微机电系统(micro-electron-mechanical system，MEMS)作为起源于上世纪90年代的跨学科的先进制造技术，广泛应用于改善人们生活质量、提高人们生活水平和增强国力。微机电系统是利用半导体集成电路的微细加工技术，将传感器、制动器、控制电路等集成在微小芯片上的技术，也被称为微纳米技术。目前，在通信、汽车、光学、生物等领域获得了广泛的应用。

在一些MEMS领域中，为了满足器件的功能需求，通常需要在晶圆的正反两面都形成器件。通常在晶圆的一侧表面形成器件之后，将晶圆的另一侧朝上，继续在晶圆的另一侧表面形成器件，而此时已经形成器件的一侧晶圆表面朝下，置于机台表面，容易受到污染和损伤。

而且，在晶圆的传输过程中，通过机台的机械手吸附晶圆进行输送，此时机械手也会对已经形成的器件造成损伤。通常需要在最初形成器件的一侧晶圆表面贴膜，以保护已经形成的器件，避免所述器件在后续的工艺流程中受到损伤。

但是，现有技术在对晶圆表面进行贴膜的过程中，往往会发生气体鼓包现象(请参考图1中气体鼓包10)，使得薄膜表面不平整，使得后续工艺流程中，机台的机械手无法顺利抓取晶圆，从而影响晶圆的输运，并且，产生气体鼓包的贴膜，对于晶圆上的器件的保护作用也受到影响。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高形成的半导体结构的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；在所述衬底的第一表面上形成第一器件；形成覆盖衬底第一表面和第一器件的缓冲层；在所述缓冲层表面粘贴保护膜，所述保护膜具有孔洞结构，所述孔洞结构包含多个孔洞。

可选的，在所述缓冲层表面粘贴保护膜的方法包括：提供薄膜，对所述薄膜进行打孔，形成具有孔洞结构的薄膜；然后将所述薄膜粘贴在缓冲层表面，形成保护膜。

可选的，所述孔洞的形状为圆形、椭圆形、方形或三角形。

可选的，所述孔洞为圆形时，孔洞的直径为1mm～5mm。

可选的，相邻孔洞之间的间距为10mm～20mm。

可选的，所述保护膜的厚度为

可选的，所述保护膜为蓝膜或UV膜。

可选的，所述缓冲层的材料为光刻胶或有机抗反射层。

可选的，所述缓冲层的厚度为

可选的，在所述缓冲层表面粘贴保护膜的方法包括：在所述缓冲层表面粘贴薄膜；扫描薄膜表面的缺陷，获取薄膜与缓冲层之间的气体鼓包位置；刺破气体鼓包，使薄膜恢复平整，形成具有孔洞结构的保护膜。

可选的，通过缺陷扫描机台扫描薄膜表面的缺陷。

可选的，缺陷扫描机台获取薄膜表面图形之后，与没有缺陷的薄膜图形进行比较，获取薄膜与缓冲层之间的气体鼓包位置信息。

可选的，通过芯片探针测试机台刺破气体鼓包，使薄膜恢复平整。

可选的，缺陷扫描机台将获取的薄膜表面图形以及气体鼓包位置信息传输到芯片探针测试机台，所述芯片探针测试机台根据薄膜表面图形上的气体鼓包位置信息，通过探针将气体鼓包刺破，使薄膜恢复平整。

可选的，所述第一器件为微机电器件。

可选的，还包括：在形成所述保护膜之后，在所述衬底的第二表面上形成第二器件。

可选的，所述第二器件为微机电器件。

为解决上述问题，本发明的技术方案还提供一种采用上述方法形成的半导体结构，包括：衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；位于所述衬底的第一表面上的第一器件；覆盖衬底第一表面和第一器件的缓冲层；位于所述缓冲层表面的保护膜，所述保护膜具有孔洞结构，所述孔洞结构包含多个孔洞。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明的技术方案提供一种半导体结构的形成方法，在衬底的第一表面形成第一器件之后，在第一表面上形成缓冲层，所述缓冲层覆盖第一器件，再在所述缓冲层表面粘贴保护膜，所述保护膜具有孔洞结构，所述孔洞结构包含多个孔洞。所述孔洞有利于排出缓冲层与保护膜之间的气体，避免在保护膜与缓冲层之间形成气体鼓包，从而可以保持保护膜表面的平坦，从而提高保护膜的保护作用，使后续工艺过程中的机台能够顺利抓取衬底，提高衬底在后续工艺的输运过程中的可靠性。