[发明专利]等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201510225056.1 申请日: 2015-05-05
公开(公告)号: CN105097403B 公开(公告)日: 2017-11-21
发明(设计)人: 横田聪裕;檜森慎司;大下辰郎;草野周 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/02
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 代理人: 刘新宇,张会华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种能够有效地消除径向上的中心成为等离子体密度分布中的特异点那样的、不期望的不均匀性并能够以较大的控制范围对等离子体密度分布自如地进行控制的等离子体处理装置。该电容耦合型等离子体处理装置在上部电极之上包括主磁体单元和辅助磁体单元。主磁体单元具有主磁轭和多个主电磁线圈。在辅助磁体单元中,在主磁体单元的比最内周的主电磁线圈靠半径方向内侧的位置,将多个棒型电磁体在转圈方向上以恒定间隔配置在自中心轴线偏离规定距离的位置。使直流的激励电流以恒定的电流值在第1组的棒型电磁体的辅助电磁线圈中沿正向流动,使直流的激励电流以相同的电流值在第2组的棒型电磁体的辅助电磁线圈中沿逆向流动。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置
【主权项】:
一种等离子体处理装置,其用于使处理气体的等离子体作用于被处理基板而对被处理基板施加处理,其中,该等离子体处理装置包括:处理容器,其用于以所述被处理基板能够出入的方式容纳所述被处理基板;下部电极,其配置在所述处理容器内,用于载置所述被处理基板;上部电极,其配置在所述处理容器内,隔着处理空间与所述下部电极相对;高频电源,其用于向所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力;主磁体单元,其在所述处理容器的上部或上方具有以在上下方向上穿过所述下部电极的中心的中心轴线为中心的1个或多个环状的主电磁线圈;以及辅助磁体单元,其用于在所述处理空间内形成与所述中心轴线正交或倾斜交叉的磁场。
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