[发明专利]具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510223664.9 | 申请日： | 2015-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN104882483B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 贾护军;张航;邢鼎;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/66;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京君恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11466 | 代理人： | 林潮;张璐 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于场效应晶体管技术领域，旨在提供一种具有宽沟道深凹陷且能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法；采用的技术方案为：自上而下设置有4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别设置有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极帽层的表面分别设置有源电极和漏电极，N型沟道层中部且靠近源极帽层的一侧设置有阶梯状的栅电极，栅电极和N型沟道层两侧形成左侧沟道和右侧沟道，栅电极的低栅面与N型沟道层表面平齐，栅电极低栅面正下方的P型缓冲层上设置有凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 栅电极 场效应晶体管 凹陷 漏极帽层 源极帽层 缓冲层 低栅 沟道 制备 表面平齐 击穿电压 频率特性 输出电流 半绝缘 阶梯状 靠近源 宽沟道 漏电极 源电极 衬底 极帽 | ||
【主权项】：
1.具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管，自下而上设置有4H‑SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，N型沟道层(3)的两侧分别设置有源极帽层(4)和漏极帽层(5)，所述源极帽层(4)和漏极帽层(5)的表面分别设置有源电极(6)和漏电极(7)，其特征在于：N型沟道层(3)中部且靠近源极帽层(4)的一侧设置有阶梯状的栅电极(10)，栅电极(10)和N型沟道层(3)两侧形成左侧沟道(8)和右侧沟道(9)，栅电极(10)的低栅面与N型沟道层(3)表面平齐，栅电极(10)低栅面正下方的P型缓冲层(2)上设置有凹槽(11)；所述栅电极(10)为二层阶梯由低栅和高栅组成，所述低栅和高栅的高度差为0.05μm；P型缓冲层(2)上凹槽(11)的长度为0.3μm‑0.4μm，高度为0.05μm。
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