[发明专利]III族半导体发光器件倒装结构的制作方法

摘要

本申请公开了一种III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，包括步骤：自下而上依次生长衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层形成外延结构，所述外延结构的上表面为p型氮化物半导体层的上表面；沉积透明导电层；黄光蚀刻制程定义隔离槽；沉积第一绝缘层结构；沉积P型接触金属与N型接触金属；沉积第二绝缘层结构；沉积倒装P型电极与倒装N型电极，得到圆片；将圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。本发明一律采用线凸形台面技术取代现有技术中的多个孔洞vias技术。本发明的第一步骤可将透明导电层与线凸形台面图案一起制作，不但简化了一道制程，也解决了透明导电层与线凸形台面图案对准的问题。

主权项

一种III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：自下而上依次生长衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层形成外延结构，所述外延结构的上表面为p型氮化物半导体层的上表面；沉积透明导电层在所述p型氮化物半导体上表面，并利用黄光蚀刻制程定义线凸形台面图案，再蚀刻透明导电层、p型氮化物半导体层和有源层，暴露n型氮化物半导体层，再用蚀刻溶液将透明导电层内缩，最后去除光阻，得到线凸形台面，且所述线凸形台面的上表面有透明导电层，其中，所述线凸形台面包括：第一上表面、侧表面和第二上表面，所述第一上表面和第二上表面分别与所述侧表面形成L形结构，所述线凸形台面的第一上表面为p型氮化物半导体层的上表面，所述线凸形台面的第二上表面为所述n型氮化物半导体层的上表面；黄光蚀刻制程定义隔离槽，再蚀刻n型氮化物半导体层和缓冲层、而暴露衬底，最后去除光阻；利用黄光蚀刻制程定义P型接触金属与透明导电层及N型接触金属与所述线凸形台面的第二上表面的连接图案，再蚀刻第一绝缘层结构的连接图案，最后去除光阻，得到第一绝缘层结构；黄光剥离制程定义P型接触金属与N型接触金属的图案，同时沉积P型接触金属与N型接触金属，然后利用剥离制程，再去除光阻，得到P型接触金属、N型接触金属；沉积第二绝缘层结构，利用黄光蚀刻制程定义开孔存取P型接触金属与N型接触金属的图案，再蚀刻第二绝缘层结构的开孔图案，最后去除光阻；黄光剥离制程定义倒装P型电极与倒装N型电极的图案，沉积倒装P型电极与倒装N型电极，后利用剥离制程，再去除光阻，得到圆片；将圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。