[发明专利]III族半导体发光器件倒装结构的制作方法

权利要求书

1.一种III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：

自下而上依次生长衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层形成外延结构，所述外延结构的上表面为p型氮化物半导体层的上表面；

沉积透明导电层在所述p型氮化物半导体上表面，并利用黄光蚀刻制程定义线凸形台面图案，再蚀刻透明导电层、p型氮化物半导体层和有源层，暴露n型氮化物半导体层，再用蚀刻溶液将透明导电层内缩，最后去除光阻，得到线凸形台面，且所述线凸形台面的上表面有透明导电层，其中，所述线凸形台面包括：第一上表面、侧表面和第二上表面，所述第一上表面和第二上表面分别与所述侧表面形成L形结构，所述线凸形台面的第一上表面为p型氮化物半导体层的上表面，所述线凸形台面的第二上表面为所述n型氮化物半导体层的上表面；

黄光蚀刻制程定义隔离槽，再蚀刻n型氮化物半导体层和缓冲层、而暴露衬底，最后去除光阻；

利用黄光蚀刻制程定义P型接触金属与透明导电层及N型接触金属与所述线凸形台面的第二上表面的连接图案，再蚀刻第一绝缘层结构的连接图案，最后去除光阻，得到第一绝缘层结构；

黄光剥离制程定义P型接触金属与N型接触金属的图案，同时沉积P型接触金属与N型接触金属，然后利用剥离制程，再去除光阻，得到P型接触金属、N型接触金属；

沉积第二绝缘层结构，利用黄光蚀刻制程定义开孔存取P型接触金属与N型接触金属的图案，再蚀刻第二绝缘层结构的开孔图案，最后去除光阻；

黄光剥离制程定义倒装P型电极与倒装N型电极的图案，沉积倒装P型电极与倒装N型电极，后利用剥离制程，再去除光阻，得到圆片；

将圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。

2.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层结构，位于所述第一上表面、侧表面、第二上表面、透明导电层以及隔离槽上。

3.根据权利要求2所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层结构为单层氧化物绝缘层，所述单层氧化物绝缘层的材料为三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氮氧化硅以及氮化硅中的一种。

4.根据权利要求3所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述单层氧化物绝缘层的厚度为30-2000nm。

5.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述P型接触金属为整面金属，该P型接触金属的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上及透明导电层上；

所述N型接触金属为整面金属，该N型接触金属的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上及所述第二上表面上。

6.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述P型接触金属，包括：P型线电极和正装P型焊盘，所述正装P型焊盘的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上，所述P型线电极的下端设置在所述第一绝缘层结构表面及透明导电层上；

所述N型接触金属，包括：N型线电极和正装N型焊盘，所述正装N型焊盘的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上，所述N型线电极的下端设置在所述第一绝缘层结构以及第二上表面上。

7.根据权利要求5或6所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述P型接触金属和N型接触金属结构相同，且均为由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的Ti层、Al层、第二Ni层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的Ti层、Al层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Pt层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的Cr层、Pt层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、以及第三Ni层组成，或由Rh层组成，其中，Rh层的厚度为50-3000nm，第一Ni层的厚度为0.3-300nm，Al层的厚度为50-3000nm，第二Ni层的厚度为10-300nm，Pt层的厚度为10-300nm，Au层的厚度为10-3000nm，第三Ni层的厚度为0.3-300nm。