[发明专利]一种高散热性SiC的功率模块在审
| 申请号： | 201510220010.0 | 申请日： | 2015-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN104867888A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 贺姿;吴晓诚 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/367 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 翁霁明 |
| 地址： | 314006 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种高散热性SiC的功率模块，它包括SiC芯片、金属片、覆铜陶瓷基板、焊料及铜基板，所述的SiC芯片通过焊料焊接在金属片上，该金属片则通过焊料焊接在覆铜陶瓷基板的上表面铜层上，所述覆铜陶瓷基板的下表面铜层通过焊料焊接在铜基板上；所述金属片为纯紫铜片、铜合金片或者其它导电性能好的金属片中的一种，且所述金属片具有与焊料有良好润湿性的特性；所述的覆铜陶瓷基板包括上表面铜层、陶瓷层、下表面铜层，所述上表面铜层、陶瓷层和下表面铜层之间通过烧结形成一体，且中间的陶瓷层面积大于上下层的铜层面积；它具有结构合理，安装使用方便，能满足SiC芯片的散热要求，提高SiC芯片功率模块的可靠性，操作简便易实现等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 散热 sic 功率 模块 | ||
【主权项】：
一种高散热性SiC的功率模块，它包括SiC芯片、金属片、覆铜陶瓷基板（DBC）、焊料及铜基板，其特征在于所述的SiC芯片（9）通过焊料（8）焊接在金属片（7）上，该金属片（7）则通过焊料（6）焊接在覆铜陶瓷基板（DBC）的上表面铜层（5）上，所述覆铜陶瓷基板（DBC）的下表面铜层（3）通过焊料（2）焊料焊接在铜基板（1）上。
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