[发明专利]一种半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201510219275.9 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104916545A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 张冬明;刘巍 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，在栅极、源极和漏极表面形成金属硅化物之前，采用纯碳离子或者锗碳离子或者硅离子对所述栅极、源极和漏极的表面进行预非晶化处理，以减小器件的阈值电压的失配，来提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底的各个有源区表面上依次形成栅介质层、栅极以及围绕所述栅极的侧墙；在栅极两侧的有源区中形成源极和漏极；采用纯碳离子或者锗碳混合离子或者硅离子对所述栅极、源极和漏极的表面进行预非晶化处理；采用金属硅化物工艺处理所述栅极、源极和漏极表面形成金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
