[发明专利]成膜方法和成膜装置有效
| 申请号: | 201510217188.X | 申请日: | 2015-04-30 |
| 公开(公告)号: | CN105039929B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
| 发明(设计)人: | 熊谷武司;尾谷宗之;大久保和哉 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括以下工序:第1原料气体供给工序,向基板上供给含有第1金属元素的第1原料气体;第2原料气体供给工序,向所述基板上供给含有第2金属元素的第2原料气体;以及反应气体供给工序,将含有非金属元素的反应气体等离子体化并供给到所述基板上,生成含有所述第1金属元素以及第2金属元素和所述非金属元素的第3反应生成物,该非金属元素能与所述第1金属元素以及所述第2金属元素进行反应而分别生成第1反应生成物以及第2反应生成物,所述第3反应生成物所含有的所述第1金属元素的混合比率高于所述第2金属元素的混合比率,所述第2反应生成物的结晶温度高于所述第1反应生成物的结晶温度。 | ||
| 搜索关键词: | 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种成膜方法,其中,该成膜方法包括以下工序:第1原料气体供给工序,在该第1原料气体供给工序中,向基板上供给含有第1金属元素的第1原料气体;第2原料气体供给工序,在该第2原料气体供给工序中,向所述基板上供给含有第2金属元素的第2原料气体;以及反应气体供给工序,在该反应气体供给工序中,将含有非金属元素的反应气体等离子体化并供给到所述基板上,生成含有所述第1金属元素以及所述第2金属元素和所述非金属元素的第3反应生成物,该非金属元素能与所述第1金属元素以及所述第2金属元素进行反应而分别生成第1反应生成物以及第2反应生成物,所述第3反应生成物所含有的所述第1金属元素的混合比率高于所述第2金属元素的混合比率,所述第2反应生成物的结晶温度高于所述第1反应生成物的结晶温度,所述第1反应生成物与所述第2反应生成物相比加工容易,其中,所述基板载置在旋转台上,在第1处理区域中同时进行所述第1原料气体供给工序和所述第2原料气体供给工序,通过使所述旋转台旋转,在所述基板能够移动的第2处理区域中进行所述反应气体供给工序。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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