[发明专利]成膜方法和成膜装置

说明书

本发明提供成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括以下工序：第1原料气体供给工序，向基板上供给含有第1金属元素的第1原料气体；第2原料气体供给工序，向所述基板上供给含有第2金属元素的第2原料气体；以及反应气体供给工序，将含有非金属元素的反应气体等离子体化并供给到所述基板上，生成含有所述第1金属元素以及第2金属元素和所述非金属元素的第3反应生成物，该非金属元素能与所述第1金属元素以及所述第2金属元素进行反应而分别生成第1反应生成物以及第2反应生成物，所述第3反应生成物所含有的所述第1金属元素的混合比率高于所述第2金属元素的混合比率，所述第2反应生成物的结晶温度高于所述第1反应生成物的结晶温度。

技术领域

本发明涉及成膜方法和成膜装置。

背景技术

以往，对于利用由等离子体激励O₂气体而产生的改性气体对形成于基板表面的金属氧化膜进行改性处理的改性方法，公知有使改性处理时的基板温度从室温成为小于金属氧化膜的结晶温度、之后根据需要使金属氧化膜结晶的金属氧化膜的改性方法。

此外，也公知有使改性处理时的基板温度成为金属氧化膜的结晶温度以上、同时进行改性处理和结晶处理的金属氧化膜的改性方法。

发明内容

发明要解决的问题

但是，成膜的用途并不限定于形成电子电路，也存在为了制造图案形成用的硬掩模而进行成膜的情况。在这种情况下，寻求一种形成具有表面粗糙度较小的光滑的表面的膜而不是结晶而表面粗糙化的膜的技术。

因此，本发明提供能够形成表面不结晶而表面粗糙度较小的膜的成膜方法和成膜装置。

用于解决问题的方案

本发明的一实施方式的成膜方法包括以下工序：第1原料气体供给工序，在该第1原料气体供给工序中，向基板上供给含有第1金属元素的第1原料气体；第2原料气体供给工序，在该第2原料气体供给工序中，向所述基板上供给含有第2金属元素的第2原料气体；以及反应气体供给工序，在该反应气体供给工序中，将含有非金属元素的反应气体等离子体化并供给到所述基板上，生成含有所述第1金属元素以及第2金属元素和所述非金属元素的第3反应生成物，该非金属元素能与所述第1金属元素以及所述第2金属元素进行反应而分别生成第1反应生成物以及第2反应生成物，所述第3反应生成物所含有的所述第1金属元素的混合比率高于所述第2金属元素的混合比率，所述第2反应生成物的结晶温度高于所述第1反应生成物的结晶温度。

本发明的另一个技术方案的成膜装置包括：处理容器；旋转台，其设置在该处理容器内，能够载置基板；第1处理区域和第2处理区域，其沿着该旋转台的旋转方向互相分开地设置在该旋转台的上方；第1原料气体供给部以及第2原料气体供给部，其为了分别供给种类不同的第1原料气体以及第2原料气体而设置在该第1处理区域内；反应气体供给部，其为了供给反应气体而设置在所述第2处理区域内，该反应气体能与所述第1原料气体以及所述第2原料气体进行反应而分别生成第1反应生成物以及第2反应生成物；以及等离子体产生机构，其用于将所述反应气体等离子体化。

附图说明

附图作为本说明书的一部分编入，表示本申请的实施方式，与上述一般的说明和后述实施方式的详细内容一同说明本申请的概念。

图1是表示本发明的实施方式的成膜装置的一例子的纵剖视图。

图2～图3是表示本发明的实施方式的成膜装置的一例子的横剖视图。

图4是表示本发明的实施方式的成膜装置的一例子的内部的一部分的分解立体图。

图5是表示本发明的实施方式的成膜装置的一例子的内部的一部分的纵剖视图。

图6是表示本发明的实施方式的成膜装置的一例子的内部的一部分的立体图。