[发明专利]TFT基板的制作方法及其结构

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法及其结构，该TFT基板的制作方法通过使用灰阶光罩，将栅极绝缘层、半导体层、及蚀刻阻挡层通过一道光刻制程一同制作，将光刻制程的次数由十道减少至八道，减少了光罩的使用量，简化了生产制程，有效提高了生产效率及良率。本发明的TFT基板结构，其中的栅极绝缘层、半导体层、及蚀刻阻挡层可使用灰阶光罩通过一道光刻制程一同制作，结构简单，易于制作，可有效提高生产效率及良率。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(1)，所述基板(1)上设有TFT区域与非TFT区域，在所述基板(1)上沉积第一金属层，并通过第一道光刻制程图案化所述第一金属层，得到间隔设置的第一栅极(21)与第二栅极(22)；步骤2、在所述第一栅极(21)、第二栅极(22)、及基板(1)上依次沉积栅极绝缘层(3)、半导体层(4)、及蚀刻阻挡层(5)；步骤3、通过第二道光刻制程对所述栅极绝缘层(3)、半导体层(4)、及蚀刻阻挡层(5)进行图案化处理，在所述蚀刻阻挡层(5)上对应于所述第一栅极(21)的上方形成第一接触孔(51)与第二接触孔(52)，对应于所述第二栅极(22)的上方形成第三接触孔(53)与第四接触孔(54)；在所述蚀刻阻挡层(5)、半导体层(4)、及栅极绝缘层(3)上对应于所述第二栅极(22)上方靠近第一栅极(21)的一侧形成第五接触孔(55)；所述第一接触孔(51)、第二接触孔(52)、第三接触孔(53)、第四接触孔(54)、及第五接触孔(55)均为通孔；步骤4、在所述蚀刻阻挡层(5)上沉积第二金属层，通过第三道光刻制程图案化该第二金属层，得到间隔设置的第一源极(71)、第一漏极(72)、第二源极(73)、及第二漏极(74)，所述第一源极(71)、第一漏极(72)、第二源极(73)、及第二漏极(74)分别经由所述第一接触孔(51)、第二接触孔(52)、第三接触孔(53)、第四接触孔(54)与所述半导体层(4)相接触；所述第一栅极(21)、半导体层(4)、第一源极(71)、及第一漏极(72)构成第一TFT；所述第二栅极(22)、半导体层(4)、第二源极(73)、及第二漏极(74)构成第二TFT；所述第一漏极(72)经由第五接触孔(55)与所述第二栅极(22)相接触，将第一TFT与第二TFT串联起来；步骤5、在所述第一源极(71)、第一漏极(72)、第二源极(73)、第二漏极(74)、蚀刻阻挡层(5)、及基板(1)上沉积钝化层(75)，并通过第四道光刻制程对所述钝化层(75)进行图案化，在所述钝化层(75)上对应所述第二漏极(74)的上方形成第六通孔(751)；步骤6、在所述钝化层(75)上沉积平坦层(76)，并通过第五道光刻制程对所述平坦层(76)进行图案化，在所述平坦层(76)对应所述第六通孔(751)的上方形成第七通孔(761)；步骤7、在所述平坦层(76)上沉积像素电极层(8)，并通过第六道光刻制程对其进行图案化，所述像素电极层(8)经由所述第六通孔(751)、及第七通孔(761)与所述第二漏极(74)相接触；步骤8、在所述像素电极层(8)、及平坦层(76)上沉积像素定义层(9)，并通过第七道光刻制程对其进行图案化，在所述像素定义层(9)上形成对应于所述像素电极层(8)上方的第八通孔(91)，从而暴露出所述像素电极层(8)的一部分；步骤9、在所述像素定义层(9)上沉积有机光阻层，并通过第八道光刻制程对其进行图案化，形成间隔设置的数个光阻间隙物(92)；所述步骤3具体包括：步骤31、在所述蚀刻阻挡层(5)上沉积光阻层(6)，并通过一灰阶光罩(10)对所述光阻层(6)进行曝光、显影，使得光阻层(6)上对应基板(1)上非TFT区域的部分被完全蚀刻掉，且所述光阻层(6)上对应所述第一栅极(21)上方形成有间隔设置的第一凹槽(61)与第二凹槽(62)，对应所述第二栅极(22)上方形成有间隔设置的第三凹槽(63)与第四凹槽(64)，对应所述第二栅极(22)上方靠近第一栅极(21)的一侧形成有第一通孔(65)；步骤32、以所述光阻层(6)为遮蔽层，通过第一次干蚀刻制程对所述蚀刻阻挡层(5)进行蚀刻，使得所述蚀刻阻挡层(5)上对应基板(1)上非TFT区域的部分被完全蚀刻掉，所述蚀刻阻挡层(5)上对应于所述光阻层(6)上的第一通孔(65)的部分被完全蚀刻掉；步骤33、通过一次灰化制程对所述光阻层(6)进行灰化处理，使得所述光阻层(6)的整体厚度降低，所述光阻层(6)上的第一凹槽(61)、第二凹槽(62)、第三凹槽(63)、及第四凹槽(64)的底部被穿透，分别形成第二通孔(66)、第三通孔(67)、第四通孔(68)、及第五通孔(69)；步骤34、以所述光阻层(6)为遮蔽层，通过一次湿蚀刻制程对所述半导体层(4)进行蚀刻，使得所述半导体层(4)上对应基板(1)上非TFT区域的部分被完全蚀刻掉，且所述半导体层(4)上对应于所述光阻层(6)上的第一通孔(65)的部分被完全蚀刻掉；步骤35、以所述光阻层(6)为遮蔽层，通过第二次干蚀刻制程对所述蚀刻阻挡层(5)、及栅极绝缘层(3)进行蚀刻，使得所述蚀刻阻挡层(5)上对应于所述光阻层(6)上的第二通孔(66)、第三通孔(67)、第四通孔(68)、及第五通孔(69)的部分被完全蚀刻掉，从而在所述蚀刻阻挡层(5)上形成对应于第一栅极(21)上方的第一接触孔(51)与第二接触孔(52)，及对应于第二栅极(22)上方的第三接触孔(53)与第四接触孔(54)；同时，所述栅极绝缘层(3)上对应基板(1)上非TFT区域的部分被完全蚀刻掉，且所述栅极绝缘层(3)上对应于所述光阻层(6)上的第一通孔(65)的部分被完全蚀刻掉，从而在所述蚀刻阻挡层(5)、半导体层(4)及栅极绝缘层(3)上对应于所述第二栅极(22)上方靠近第一栅极(21)的一侧形成第五接触孔(55)；步骤36、剥离所述光阻层(6)。