[发明专利]TFT基板的制作方法及其结构

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及其结构。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode)即有机发光二极管，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。OLED按照驱动类型可分为无源OLED(PMOLED，Passive matrix OLED)和有源OLED(AMOLED，Active-matrix OLED)。AMOLED常使用氧化物半导体型背板，其结构与低温多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly-silicon)型背板相比更为简单。

请参阅图1，为一种现有的应用于AMOLED的TFT(薄膜晶体管，Thin Film Transistor)基板结构的剖面示意图，包括基板100、设于所述基板100上的第一栅极210、及第二栅极220、设于所述第一栅极210、第二栅极220、及基板100上的栅极绝缘层300、位于所述第一栅极210上方设于所述栅极绝缘层300上的第一半导体层410、位于所述第二栅极220上方设于所述栅极绝缘层300上的第二半导体层420、设于所述第一半导体层410、第二半导体层420、及栅极绝缘层300上的蚀刻阻挡层500、位于所述第一栅极210上方设于所述蚀刻阻挡层500上的第一源极610、及第一漏极620、位于所述第二栅极220上方设于所述蚀刻阻挡层500上的第二源极630、及第二漏极640、设于所述第一源极610、第一漏极620、第二源极630、及第二漏极640、及蚀刻阻挡层500上的钝化层710、设于所述钝化层710上的平坦层720、设于所述平坦层720上的像素电极层800、设于所述像素电极层800与平坦层720上的像素定义层900、及设于所述像素定义层900上的光阻间隙物920。

所述蚀刻阻挡层500上对应所述第一半导体层410上方设有两个第一过孔510，所述蚀刻阻挡层500上对应所述第二半导体层420上方设有两个第二过孔520，所述蚀刻阻挡层500、及栅极绝缘层300上对应所述第二栅极220上方靠近第一栅极210的一侧设有第三过孔530，所述钝化层710、及平坦层720上对应所述第二源极630上方设有第四过孔810，所述像素定义层900上方对应所述像素电极层800上方设有第五过孔910。

所述第一源极610、第一漏极620分别经由所述第一过孔510与所述第一半导体层410相接触，所述第二源极630、第二漏极640分别经由所述第二过孔520与所述第二半导体层420相接触，所述第一源极610经由所述第三过孔530与所述第二栅极220相接触，所述像素电极层800经由所述第四过孔810与所述第二源极630相接触，所述第五过孔910暴露出部分像素电极层800。

其中，所述第一栅极210、及第二栅极220，栅极绝缘层300，第一半导体层410、及第二半导体层420，蚀刻阻挡层500，第一源极610、第一漏极620、第二源极630、及第二漏极640，钝化层710，平坦层720，像素电极层800，像素定义层900，光阻间隙物920中的每一层均需要通过一道光刻制程制作，即制作图1所示的TFT基板总计需要十道光刻制程，制程较为繁琐，影响生产效率及良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，制程简单，可有效提高生产效率及良率。

本发明的目的还在于提供一种TFT基板结构，结构简单，易于制作，可有效提高生产效率及良率。

为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供基板，所述基板上设有TFT区域与非TFT区域，在所述基板上沉积第一金属层，并通过第一道光刻制程图案化所述第一金属层，得到间隔设置的第一栅极与第二栅极；

步骤2、在所述第一栅极、第二栅极、及基板上依次沉积栅极绝缘层、半导体层、及蚀刻阻挡层；

步骤3、通过第二道光刻制程对所述栅极绝缘层、半导体层、及蚀刻阻挡层进行图案化处理，在所述蚀刻阻挡层上对应于所述第一栅极的上方形成第一接触孔与第二接触孔，对应于所述第二栅极的上方形成第三接触孔与第四接触孔；在所述蚀刻阻挡层、半导体层、及栅极绝缘层上对应于所述第二栅极上方靠近第一栅极的一侧形成第五接触孔；所述第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔、第四接触孔、及第五接触孔均为通孔；