[发明专利]一种刻蚀反应腔体的清洁方法

摘要

本发明公开了一种刻蚀反应腔体的清洁方法，包括反应腔体和进气单元；清洁方法包括通入第一工艺气体冲洗进气单元，使进气单元内壁至少部分的反应副产物剥落；接着通入第二工艺气体，使所述第二工艺气体的等离子体与剥落的第一副产物及所述反应腔体内壁的第一副产物发生反应，以清洗反应腔体的内壁；然后通入第三工艺气体并增加所述第三工艺气体的压力，使所述第三工艺气体的等离子体与进气单元内已剥落和未剥落的第二副产物反应，以清洗进气单元的内壁；最后增加第二工艺气体的压力，与进气单元内未剥落的第一副产物发生反应，以清洗所述进气单元的内壁。本发明能够有效减小进气单元残留物沉积掉落造成晶圆中心团聚缺陷的风险。

主权项

一种刻蚀反应腔体的清洁方法，包括反应腔体和进气单元，其特征在于，所述反应腔体的清洁方法包括：步骤1：通入第一工艺气体冲洗所述进气单元，使所述进气单元内壁至少部分的反应副产物剥落；其中，所述反应副产物包括第一副产物和第二副产物；步骤2：通入第二工艺气体并形成所述第二工艺气体的等离子体，使所述第二工艺气体的等离子体与所述剥落的第一副产物及所述反应腔体内壁的第一副产物发生反应，以清洗所述反应腔体的内壁；步骤3：通入第三工艺气体并形成所述第三工艺气体的等离子体，增加所述第三工艺气体的压力，使所述第三工艺气体的等离子体与所述进气单元内已剥落和未剥落的第二副产物发生反应，以清洗所述进气单元的内壁；步骤4：增加所述第二工艺气体的压力，使所述第二工艺气体的等离子体与所述进气单元内未剥落的第一副产物发生反应，以清洗所述进气单元的内壁,步骤3中所述第三工艺气体和步骤4中第二工艺气体的压力均大于步骤2中所述第二工艺气体的压力。