[发明专利]一种刻蚀反应腔体的清洁方法

权利要求书

1.一种刻蚀反应腔体的清洁方法，包括反应腔体和进气单元，其特征在于，所述反应腔体的清洁方法包括：

步骤1：通入第一工艺气体冲洗所述进气单元，使所述进气单元内壁至少部分的反应副产物剥落；其中，所述反应副产物包括第一副产物和第二副产物；

步骤2：通入第二工艺气体并形成所述第二工艺气体的等离子体，使所述第二工艺气体的等离子体与所述剥落的第一副产物及所述反应腔体内壁的第一副产物发生反应，以清洗所述反应腔体的内壁；

步骤3：通入第三工艺气体并形成所述第三工艺气体的等离子体，增加所述第三工艺气体的压力，使所述第三工艺气体的等离子体与所述进气单元内已剥落和未剥落的第二副产物发生反应，以清洗所述进气单元的内壁；

步骤4：增加所述第二工艺气体的压力，使所述第二工艺气体的等离子体与所述进气单元内未剥落的第一副产物发生反应，以清洗所述进气单元的内壁,

步骤3中所述第三工艺气体和步骤4中第二工艺气体的压力均大于步骤2中所述第二工艺气体的压力。

2.根据权利要求1所述的刻蚀反应腔体的清洁方法，其特征在于，所述第一副产物为SiOxCly和CxOy的混合物，第二副产物为CxOy。

3.根据权利要求2所述的刻蚀反应腔体的清洁方法，其特征在于，所述第二工艺气体为NF₃和O₂的混合气体，所述第三工艺气体为O₂。

4.根据权利要求1所述的刻蚀反应腔体的清洁方法，其特征在于，所述第一工艺气体的气体流量大于所述第二工艺气体的气体流量。

5.根据权利要求1所述的刻蚀反应腔体的清洁方法，其特征在于，步骤1中通入所述第一工艺气体冲洗所述进气单元的次数大于等于5次。

6.根据权利要求1所述的刻蚀反应腔体的清洁方法，其特征在于，步骤1中所述第一工艺气体的压力小于步骤2中所述第二工艺气体的压力，气体流量为大于等于500sccm；步骤2中所述第二工艺气体的压力为小于等于10mT，气体流量为小于等于50sccm。

7.根据权利要求6所述的刻蚀反应腔体的清洁方法，其特征在于，步骤3中所述第三工艺气体和步骤4中第二工艺气体的压力均大于60mT。

8.根据权利要求1所述的刻蚀反应腔体的清洁方法，其特征在于，还包括通过化学气相沉积在所述腔体内壁上生长一层SiOxCly的步骤。

9.根据权利要求1所述的刻蚀反应腔体的清洁方法，其特征在于，所述进气单元设置于所述反应腔体顶部且位于待刻蚀晶圆的正上方。

10.根据权利要求1～9任一所述的刻蚀反应腔体的清洁方法，其特征在于，所述反应腔体还包括抽气单元，所述抽气单元通过调节阀与所述反应腔体相连，所述清洗方法的各步骤中通过控制所述调节阀的开度以调节所述反应腔体内的气压。