[发明专利]一种VDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510212247.4 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106206712B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种VDMOS器件及其制作方法，涉及半导体芯片制造领域，解决现有VDMOS器件的EAS易失效的问题。本发明的VDMOS器件包括：N型衬底层；位于N型衬底层表面的N型外延层，且N型外延层上设置有第一沟槽，位于N型外延层上的栅极氧化层、多晶栅极、氧化物介质层及金属层，还包括：设置于第一沟槽内、具有第一浓度的P型外延层，P型外延层内镶嵌有源区，所述源区的表面高出于N型外延层的表面设置，且源区的内部设置有第二沟槽，连通至金属层；具有第二浓度的P型沟道区，位于N型外延层和栅极氧化层之间，且设置于源区和第二沟槽之外的区域，源区的表面与P型沟道区的表面持平。本发明有效提升了器件的EAS能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOS器件，包括：N型衬底层；位于所述N型衬底层表面的N型外延层，且所述N型外延层上设置有第一沟槽，位于所述N型外延层上的栅极氧化层、多晶栅极、氧化物介质层及金属层，其特征在于，所述VDMOS器件还包括：设置于所述第一沟槽内、具有第一浓度的P型外延层，所述P型外延层内镶嵌有源区，所述源区的表面高出于所述N型外延层的表面设置，且所述源区的内部设置有第二沟槽，连通至所述金属层；具有第二浓度的P型沟道区，位于所述N型外延层和所述栅极氧化层之间，且设置于所述源区和所述第二沟槽之外的区域，所述源区的表面与所述P型沟道区的表面持平，其中，所述第二浓度的值小于所述第一浓度的值；其中，向所述N型外延层的表面、所述P型外延层的表面以及所述源区的表面注入N型杂质，在所述P型外延层的表面或是P型外延层和栅极氧化层之间形成所述P型沟道区，杂质浓度小于所述P型外延层的杂质浓度。
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