[发明专利]蓝宝石晶片加工方法及其加工工艺中的中间物有效
| 申请号： | 201510211842.6 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN105291287B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王兴民;张延瑜 | 申请（专利权）人： | 兆远科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D5/00;B24B37/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蓝宝石晶片加工方法及其加工工艺中的中间物，其中该加工方法包含将一晶棒切割成多片晶圆；对所切割后的晶圆施以温度介于1200～2300℃之间的高温抛光作业；以及对经过高温抛光作业后的晶圆的至少其中一表面施以化学机械抛光作业。由此可获得表面具有良好平坦度的晶圆。此外，在加工过程中，经高温抛光作业后的晶圆，即为本发明所定义的中间物，该中间物的表面粗糙度控制于0.1～1微米(μm)之间，且呈半透明的片状体。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 晶片 加工 方法 及其 工艺 中的 中间 | ||
【主权项】：
一种蓝宝石晶片加工方法，包括下列步骤：a、将一晶棒切割成多片晶圆；b、对步骤a所切割后的晶圆施以温度介于1700～2200℃之间的高温抛光作业；以及c、对步骤b经过高温抛光作业后的晶圆的至少其中一表面施以化学机械抛光作业；其中，包括对步骤a之后的晶圆进行厚度减薄加工，以使进入步骤b之前的该晶圆的表面粗糙度介于0.2～1.2微米之间；其中，经步骤b的高温抛光作业之后的晶圆表面粗糙度介于0.1～1微米之间。
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