[发明专利]蓝宝石晶片加工方法及其加工工艺中的中间物有效
| 申请号： | 201510211842.6 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN105291287B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王兴民;张延瑜 | 申请（专利权）人： | 兆远科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D5/00;B24B37/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 晶片 加工 方法 及其 工艺 中的 中间 | ||
1.一种蓝宝石晶片加工方法，包括下列步骤：
a、将一晶棒切割成多片晶圆；
b、对步骤a所切割后的晶圆施以温度介于1700～2200℃之间的高温抛光作业；以及
c、对步骤b经过高温抛光作业后的晶圆的至少其中一表面施以化学机械抛光作业；
其中，包括对步骤a之后的晶圆进行厚度减薄加工，以使进入步骤b之前的该晶圆的表面粗糙度介于0.2～1.2微米之间；
其中，经步骤b的高温抛光作业之后的晶圆表面粗糙度介于0.1～1微米之间。
2.如权利要求1所述的蓝宝石晶片加工方法，其中步骤c中的化学机械抛光作业包括在该晶圆表面使用抛光液，该抛光液中包含有0.1～1微米的二氧化硅微粒。
3.如权利要求1所述的蓝宝石晶片加工方法，是使用双面研磨工艺以对该晶圆进行厚度减薄作业。
4.如权利要求3所述的蓝宝石晶片加工方法，其中该双面研磨工艺包含使用碳化硅、碳化硼或钻石磨料进行表面研磨加工。
5.如权利要求1所述的蓝宝石晶片加工方法，其中经步骤c的化学机械抛光作业之后的晶圆表面粗糙度介于0.2～50纳米之间。
6.如权利要求1所述的蓝宝石晶片加工方法，其中步骤a中对晶棒切割的步骤是采用钻石线多线切割技术。
7.一种蓝宝石晶片加工方法，包括下列步骤：
a、将一晶棒切割成多片晶圆；
b、对步骤a切割后的晶圆施以温度介于1700～2200℃之间的高温抛光作业；以及
c、对步骤b经过高温抛光作业后的晶圆的至少其中一表面施以平坦化作业，以使该表面粗糙度介于0.2～50纳米之间；
其中，包括对步骤a之后的晶圆进行厚度减薄加工，以使进入步骤b之前的该晶圆的表面粗糙度介于0.2～1.2微米之间；
其中，经步骤b的高温抛光作业之后的晶圆表面粗糙度介于0.1～1微米之间。
8.如权利要求7所述的蓝宝石晶片加工方法，其中步骤c中的平坦化作业是使用化学机械抛光工艺，该化学机械抛光工艺包括在该晶圆表面使用抛光液，该抛光液中包含有0.1～1微米的二氧化硅微粒。
9.如权利要求7所述的蓝宝石晶片加工方法，使用双面研磨工艺以对该晶圆进行厚度减薄作业。
10.如权利要求9所述的蓝宝石晶片加工方法，其中该双面研磨工艺包含使用碳化硅、碳化硼或钻石磨料进行表面研磨加工。
11.如权利要求7所述的蓝宝石晶片加工方法，其中步骤a中对晶棒切割的步骤采用钻石线多线切割技术。
12.一种蓝宝石晶片加工工艺中的中间物，为将表面粗糙度介于0.2～1.2微米之间的晶圆经过温度介于1700～2200℃之间的高温抛光作业后，使得表面粗糙度介于0.1～1微米之间的半透明片状体。
13.如权利要求12所述的蓝宝石晶片加工工艺中的中间物，其中该中间物的表面粗糙度介于0.1～0.6微米之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兆远科技股份有限公司，未经兆远科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510211842.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于玻璃门窗的太阳能装饰灯
- 下一篇：用于监测天然气输气管道泄漏的传感器组件
