[发明专利]一种砷化镓基半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种砷化镓基半导体器件的制作方法，包括有以下步骤提供一底材，所述底材包括一砷化镓基半导体晶片，晶片形成有至少一基极区、发射极区及集电极区，其中相邻电极区之间具有高度差并于高度落差处形成外凸尖角；于底材上形成一与之形状相匹配或基本匹配的绝缘层；通过光蚀刻工艺蚀刻绝缘层，以露出各电极区；通过光蚀刻工艺蚀刻剩余绝缘层，使绝缘层对应底材表面高度落差的区域平滑过渡；于上述结构上方形成一金属层。通过绝缘层表面的平缓化处理，避免了金属层产生裂痕的问题。

主权项

一种砷化镓基半导体器件的制作方法，其特征在于包括以下步骤：1)提供一底材，所述底材包括一砷化镓基半导体晶片，晶片形成有至少一基极区、发射极区及集电极区，其中相邻电极区之间具有高度差并于高度落差处形成外凸尖角；2)于底材上形成一与之形状相匹配的绝缘层，所述绝缘层的厚度是1.2‑3μm，其中所述绝缘层对应所述底材高度落差区域亦配合形成有外凸尖角；3)通过光蚀刻工艺蚀刻所述绝缘层，以露出所述各电极区；4)通过光蚀刻工艺蚀刻剩余绝缘层，蚀刻厚度是0.1‑0.3μm，以平滑所述绝缘层的外凸尖角；步骤3)与步骤4)中，光蚀刻工艺采用相同的光罩，其中步骤3)中采用正光阻，步骤4)中采用负光阻，步骤4)相对于步骤3)其蚀刻临界尺寸缩小0.1‑0.5μm；5)于上述结构上方形成一金属层。