[发明专利]一种砷化镓基半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种砷化镓基半导体器件的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

1)提供一底材，所述底材包括一砷化镓基半导体晶片，晶片形成有至少一基极区、发射极区及集电极区，其中相邻电极区之间具有高度差并于高度落差处形成外凸尖角；

2)于底材上形成一与之形状相匹配的绝缘层，所述绝缘层的厚度是1.2-3μm，其中所述绝缘层对应所述底材高度落差区域亦配合形成有外凸尖角；

3)通过光蚀刻工艺蚀刻所述绝缘层，以露出所述各电极区；

4)通过光蚀刻工艺蚀刻剩余绝缘层，蚀刻厚度是0.1-0.3μm，以平滑所述绝缘层的外凸尖角；步骤3)与步骤4)中，光蚀刻工艺采用相同的光罩，其中步骤3)中采用正光阻，步骤4)中采用负光阻，步骤4)相对于步骤3)其蚀刻临界尺寸缩小0.1-0.5μm；

5)于上述结构上方形成一金属层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：步骤4)中，所述外凸尖角平滑后，所述绝缘层对应所述底材的高度落差区域呈弧形过渡。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：步骤4)中，所述外凸尖角平滑后，所述绝缘层对应所述底材的高度落差区域形成倒角结构，外凸最小角度大于110°。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述基极区、发射极区及集电极区形成一双极型三极管结构，其中所述基极区位于所述发射极和所述集电极之间，所述晶片表面由所述集电极区向所述发射极区其高度依次递增。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述底材还包括形成于所述晶片各电极区上方的导电层；步骤3)中，所述绝缘层经蚀刻后露出所述导电层。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于：所述导电层是金属，包括有Ti、Ni、Cu、Al、Pt、W、Mo、Cr、Au中的一种或上述金属的组合层，是通过磁控溅镀、离子蒸镀、电弧离子蒸镀或化学气相沉积的方式形成。

7.根据权利要求1或6所述的制作方法，其特征在于：所述金属层包括有Ti、Ni、Cu、Al、Pt、W、Mo、Cr、Au或上述金属的组合层，是通过磁控溅镀、离子蒸镀、电弧离子蒸镀或化学气相沉积的方式形成。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述绝缘层是聚亚酰胺，通过涂覆的方式形成。