[发明专利]等离子体蚀刻方法

摘要

本发明提供等离子体蚀刻方法，能够大幅改善充电损伤的发生，实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器(10)内相对地平行配置上部电极(38)和下部电极(12)，由第一高频电源(32)通过第一匹配器(34)向下部电极(12)施加第一高频。控制部(68)以使得用于生成等离子体的第一高频具有生成等离子体的第一振幅的第一期间、和具有实质上不生成等离子体的第二振幅的第二期间以规定的周期交替重复的方式控制第一高频电源(32)。

主权项

一种等离子体蚀刻方法，其使用等离子体蚀刻装置，在处理空间中生成处理气体的等离子体对半导体基板实施蚀刻处理，该等离子体蚀刻装置包括：能够真空排气的处理容器；在所述处理容器内载置所述半导体基板的第一电极；在所述处理容器内与所述第一电极平行地相对并接地的第二电极；向所述第一电极与所述第二电极之间的所述处理空间供给包含O₂气体的所述处理气体的处理气体供给部；和向所述第一电极施加具有100MHz以上的频率的第一高频的第一高频供电部，该等离子体蚀刻方法的特征在于，包括：通过周期地重复第一期间和第二期间，对在栅极氧化膜上具有多晶硅膜的半导体基板进行蚀刻的步骤，在所述第一期间中，来自所述第一高频供电部的高频电力以从所述处理气体生成等离子体的第一振幅被施加于所述第一电极，在所述第二期间中，所述高频电力以不生成等离子体的第二振幅被施加于所述第一电极，所述第一期间的长度为2μsec～50μsec，所述第二期间的长度为2μsec以上，所述周期的长度为4μsec～200μsec。