[发明专利]自对准接触件和方法有效
| 申请号： | 201510204942.6 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN105304608B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 王朝勋;刘仕文;杨复凯;王宪程;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/60;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自对准接触件。在实施例中，通过从邻接于栅电极处部分地去除第一介电材料和从邻接于栅电极处完全去除第二介电材料来形成自对准接触件。导电材料被沉积到去除第一介电材料和第二介电材料之后的区域中，并且导电材料和金属栅极凹至隔离件下方。介电层被沉积在凹进的导电材料和凹进的金属栅极的上方，并且自对准接触件穿过介电层而形成。本发明还提供了一种制造自对准接触件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导体，位于衬底上方，所述第一导体具有第一顶面；隔离件，与所述第一导体相邻接，所述隔离件的第二顶面距离所述衬底比所述第一顶面距离所述衬底更远；第二导体，与所述衬底电连接并且与所述第一导体分别位于所述隔离件的相对两侧上，所述第二导体具有第三顶面，其中，所述第二顶面距离所述衬底比所述第三顶面距离所述衬底更远；第一介电层，与所述隔离件的侧壁相邻接，位于所述第一导体的部分的上方，并且位于所述第二导体的部分的上方；以及接触件，延伸穿过所述第一介电层并且与所述第一导体物理接触；其中，所述第一导体是金属栅极。
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