[发明专利]自对准接触件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导体，位于衬底上方，所述第一导体具有第一顶面；

隔离件，与所述第一导体相邻接，所述隔离件的第二顶面距离所述衬底比所述第一顶面距离所述衬底更远；

第二导体，与所述衬底电连接并且与所述第一导体分别位于所述隔离件的相对两侧上，所述第二导体具有第三顶面，其中，所述第二顶面距离所述衬底比所述第三顶面距离所述衬底更远；

第一介电层，与所述隔离件的侧壁相邻接，位于所述第一导体的部分的上方，并且位于所述第二导体的部分的上方；以及

接触件，延伸穿过所述第一介电层并且与所述第一导体物理接触；

其中，所述第一导体是金属栅极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导体是插塞。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：硅化物，位于所述插塞和所述衬底之间。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：介电材料，位于所述插塞和所述衬底之间。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述介电材料位于所述衬底内的隔离区域上方。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二介电层，位于所述第一介电层上方，其中，所述接触件延伸穿过所述第二介电层。

7.一种半导体器件，包括：

隔离件，从衬底处向外延伸；

第一金属栅极，相较于所述隔离件而凹进；

导电插塞，相较于所述隔离件而凹进；

第一介电层，位于所述隔离件上方且至少部分地位于所述第一金属栅极和所述导电插塞上方，其中，所述第一介电层与所述隔离件的至少一个侧壁相接触；

第一接触件，延伸穿过所述第一介电层并且与所述第一金属栅极物理接触；以及

第二接触件，延伸穿过所述第一介电层并且与所述导电插塞物理接触。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：硅化物区域，位于所述导电插塞和所述衬底之间。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述导电插塞位于所述衬底内的隔离区域上方。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：第二介电层，位于所述导电插塞和所述隔离区域之间。

11.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：第二介电层，位于所述第一介电层上方，其中，所述第一接触件延伸穿过所述第二介电层。

12.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述导电插塞包括钨。

13.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一接触件具有带有第一部分和第二部分的侧壁，所述第二部分偏离所述第一部分，所述第一部分位于所述第一介电层上方而所述第二部分与所述第一介电层相邻接。

14.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供金属栅极，所述金属栅极带有位于所述金属栅极的第一面上的第一隔离件和位于所述金属栅极的第二面上的第二隔离件，其中，介电材料的第一部分位于与所述第一隔离件相邻接的第一区域中而所述介电材料的第二部分位于与所述第二隔离件相邻接的第二区域中；

从所述第一区域中完全去除所述介电材料的所述第一部分；

从所述第二区域中部分地去除所述介电材料的所述第二部分，部分地去除所述第二部分从而形成所述介电材料的第三部分；

在所述介电材料的所述第三部分上方以及在所述第一区域内部形成导电材料；

使所述导电材料和所述金属栅极相较于所述第一隔离件的顶面和所述第二隔离件的顶面而凹进；

在使所述导电材料凹进之后，在所述导电材料上方、所述第一隔离件上方以及所述第二隔离件上方共形地形成第一介电层；

形成穿过所述第一介电层并且与所述导电材料相接触的第一接触件；以及

形成穿过所述第一介电层并且与所述金属栅极相接触的第二接触件。