[发明专利]高密度波导超晶格的转弯装置在审

专利信息
申请号: 201510204660.6 申请日: 2015-04-27
公开(公告)号: CN104849807A 公开(公告)日: 2015-08-19
发明(设计)人: 江伟;刘昂 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: G02B6/125 分类号: G02B6/125
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 陈建和
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 最近,发明人有一种技术可以使得阵列波导间距在低至半波长时串扰仍然很低。基本思路之一就是将波导阵列的各波导设计为不同宽度,将几个不同宽度的波导形成一个波导子阵列。再将此波导子阵列周期性排列形成一个任意大的波导阵列,称为波导超晶格。发明人的研究表明,通过适当设计,即使波导间距低至半波长,波导超晶格中任意波导间的串扰仍然很低。但在间距如此小的时候波导超晶格进行转弯,从其中一个波导泄露出来的模场将与其他波导产生较强的耦合,从而使得串扰增大。在本发明中,发明人使用含有弯曲波导的特殊耦合结构将高密度波导超晶格拓宽为间距较大的波导阵列后再进行转弯以及先使高密度波导超晶格依次错开一定距离后再转弯。这些方法使得高密度波导超晶格在转弯时串扰很低。
搜索关键词: 高密度 波导 晶格 转弯 装置
【主权项】:
一种用于高密度波导超晶格转弯的装置,其特征是在高密度波导超晶格的末端,利用一段包含弯曲波导的耦合结构,将高密度波导超晶格拓宽为需求的较大间距的波导阵列,利用弯曲波导实现拐弯;再将前述耦合结构逆向使用,将较大间距的波导阵列还原回高密度波导超晶格。
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