[发明专利]高密度波导超晶格的转弯装置

权利要求书

1.一种用于高密度波导超晶格转弯的装置，其特征是在高密度波导超晶格的末端，利用一段包含弯曲波导的耦合结构，将高密度波导超晶格拓宽为需求的较大间距的波导阵列，利用弯曲波导实现拐弯；再将前述耦合结构逆向使用，将较大间距的波导阵列还原回高密度波导超晶格。

2.根据权利要求1所述的转弯装置，其特征是上述高密度波导超晶格中至少一个波导的耦合结构包含一个S形波导。

3.根据权利要求2所述的转弯装置，其特征是上述相邻的S形波导的起点错开一定距离。

4.根据权利要求2或3所述的转弯装置，其中的S形波导包含第一段弯曲波导、一段直波导与第二段弯曲波导或者是其中的S形波导包含第一段弯曲波导、与第二段弯曲波导。

5.根据权利要求2-3之一所述的转弯装置，其中相邻的S形波导的第一段弯曲波导的起点错开一定距离或其中相邻的S形波导的起点错开一定距离。

6.根据权利要求2-3之一所述的转弯装置，其中的S形波导包含一段余弦函数形状的波导。

7.一种用于高密度波导超晶格转弯的装置，其特征是在高密度波导超晶格的末端，每个波导逐次开始转弯，相邻波导的转弯起点错开一定距离。

8.根据权利要求7中所述的转弯装置，其特征是所述转弯装置与第二个相同的转弯装置尾对尾相接使用，将波导阵列还原回高密度波导超晶格。

9.根据权利要求7中所述的装置，在两个转弯装置之间有一段直波导阵列或直波导超晶格。

10.根据权利要求7中所述的转弯装置，其特征是高密度波导超晶格由于转弯起点依次错开被拓宽为较大间距的波导阵列，用于耦合。