[发明专利]一种高速激光器驱动电路有效

专利信息
申请号: 201510201460.5 申请日: 2015-04-24
公开(公告)号: CN104767117B 公开(公告)日: 2018-02-09
发明(设计)人: 赵楠;武明虎;熊炜;周先军;刘聪;朱莉;曾春艳 申请(专利权)人: 湖北工业大学
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 代理人: 严彦
地址: 430068 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种高速激光器驱动电路,包括输入缓冲级、信号放大级、输出驱动级、激光器电流源和直接调制激光器,所述输出驱动级包括输出放大器和晶体管,输入缓冲级的输出连接信号放大级的输入,信号放大级的输出连接输出放大器的输入,输出放大器的输出和晶体管相连接,所述晶体管为BJT晶体管或MOSFET晶体管,所述激光器电流源只设一个,该激光器电流源连接在电源和直接调制激光器的阳极之间或连接在直接调制激光器的阴极和地之间。本发明的激光器驱动器电路可用于直接驱动高速分布式反馈激光器等,降低目前的高速直接调制激光器驱动电路的设计难度。
搜索关键词: 一种 高速 激光器 驱动 电路
【主权项】:
一种高速激光器驱动电路,其特征在于:包括输入缓冲级、信号放大级、输出驱动级、激光器电流源和直接调制激光器,所述输出驱动级包括输出放大器和晶体管,输入缓冲级的输出连接信号放大级的输入,信号放大级的输出连接输出放大器的输入,输出放大器的输出和晶体管相连接,在设计输出驱动级时,利用高速晶体管的快速开启和关断特性以及快速大电流分流能力来快速调节流经直接调制激光器的电流大小及其出光功率强度,从而以高速开关形式来实现对高速激光器的直接调制;所述晶体管为BJT晶体管或MOSFET晶体管,所述BJT晶体管为双极型晶体管,所述MOSFET晶体管为金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管,当采用BJT晶体管时,BJT晶体管的集电极连接直接调制激光器的阳极,BJT晶体管的发射极连接直接调制激光器的阴极,输出放大器的输出连接BJT晶体管的基极;当采用MOSFET晶体管时,MOSFET晶体管的漏极连接直接调制激光器的阳极,MOSFET晶体管的源极连接直接调制激光器的阴极,输出放大器的输出连接MOSFET晶体管的栅极;所述激光器电流源只设一个,该激光器电流源连接在电源和直接调制激光器的阳极之间或连接在直接调制激光器的阴极和地之间。
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