[发明专利]一种高速激光器驱动电路有效
申请号: | 201510201460.5 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN104767117B | 公开(公告)日: | 2018-02-09 |
发明(设计)人: | 赵楠;武明虎;熊炜;周先军;刘聪;朱莉;曾春艳 | 申请(专利权)人: | 湖北工业大学 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人: | 严彦 |
地址: | 430068 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高速 激光器 驱动 电路 | ||
1.一种高速激光器驱动电路,其特征在于:包括输入缓冲级、信号放大级、输出驱动级、激光器电流源和直接调制激光器,所述输出驱动级包括输出放大器和晶体管,输入缓冲级的输出连接信号放大级的输入,信号放大级的输出连接输出放大器的输入,输出放大器的输出和晶体管相连接,在设计输出驱动级时,利用高速晶体管的快速开启和关断特性以及快速大电流分流能力来快速调节流经直接调制激光器的电流大小及其出光功率强度,从而以高速开关形式来实现对高速激光器的直接调制;
所述晶体管为BJT晶体管或MOSFET晶体管,所述BJT晶体管为双极型晶体管,所述MOSFET晶体管为金属-氧化物-半导体场效应晶体管,
当采用BJT晶体管时,BJT晶体管的集电极连接直接调制激光器的阳极,BJT晶体管的发射极连接直接调制激光器的阴极,输出放大器的输出连接BJT晶体管的基极;
当采用MOSFET晶体管时,MOSFET晶体管的漏极连接直接调制激光器的阳极,MOSFET晶体管的源极连接直接调制激光器的阴极,输出放大器的输出连接MOSFET晶体管的栅极;
所述激光器电流源只设一个,该激光器电流源连接在电源和直接调制激光器的阳极之间或连接在直接调制激光器的阴极和地之间。
2.根据权利要求1所述高速激光器驱动电路,其特征在于:所述输入缓冲级的输入信号为单端输入。
3.根据权利要求1所述高速激光器驱动电路,其特征在于:所述输入缓冲级的输入信号为差分输入。
4.根据权利要求1或2或3所述高速激光器驱动电路,其特征在于:所述输入信号为激光器调制信号,激光器调制信号先经输入缓冲级进行均衡和补偿处理,然后经信号放大级将输入缓冲级的输出信号进行放大处理,接着由输出驱动极直接调制激光器的出光功率,其中输出放大器将信号放大级的输出信号调整至能直接驱动晶体管的电压水平,输出放大器的输出直接迅速控制晶体管。
5.根据权利要求4所述高速激光器驱动电路,其特征在于:激光器电流源连接在电源和直接调制激光器的阳极之间时,当输出缓冲级的输出信号为高电压信号时,晶体管导通,从激光器电流源中分流出一部分电流,使流经激光器的电流变小,导致激光器的出光信号功率减弱;当输出缓冲级的输出信号为低电压信号时,晶体管截止,激光器电流源的电流全部流入激光器,使激光器的出光信号功率保持为高光功率状态。
6.根据权利要求4所述高速激光器驱动电路,其特征在于:激光器电流源连接在直接调制激光器的阴极和地之间时,当输出缓冲级的输出信号为高电压信号时,晶体管导通,激光器电流源从激光器中抽取的电流中有一部分电流改由晶体管的发射极电流或源极电流提供,使流经激光器的电流变小,导致激光器的出光信号功率减弱;当输出缓冲级的输出信号为低电压信号时,晶体管截止,激光器电流源的电流全部通过从激光器抽取电流来满足,使得流经激光器的电流为最大状态,使激光器的出光信号功率保持为高光功率状态。
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