[发明专利]P-型Ga-Cd-S-Te四元化合物中温热电合金及其制备工艺有效
| 申请号： | 201510201314.2 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104843654B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 崔教林 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 宁波奥凯专利事务所(普通合伙)33227 | 代理人： | 白洪长 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及新材料领域的一种P‑型Ga‑Cd‑S‑Te四元化合物中温热电合金及其制备工艺。该中温热电合金的设计要点是通过摩尔数为0.05的Cd和S分别替代摩尔数为0.1的Ga和Te，构成四元热电合金，化学式为Ga1.9Cd0.05S0.05Te2.9。制备工艺：根据化学式称量相应量的Ga、Cd、S和Te四种元素，在1050～1150℃下真空熔炼24小时。熔炼后的铸锭粉碎球磨。球磨后的粉末经放电等离子火花烧结成形，烧结温度为400℃，烧结压力50Mpa，保温时间10分钟。烧结后的块体材料在真空石英管内退火200～280小时，退火温度350～450℃。该中温热电合金的综合热电性能在T＝700K时取得最大值ZT＝0.60，材料无污染，无噪音，可应用于中温发电元器件制作，具有运行可靠，寿命长，制备工艺简单的优点。 | ||
| 搜索关键词： | ga cd te 化合物 温热 合金 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种P‑型Ga‑Cd‑S‑Te四元化合物中温热电合金，其特征在于将摩尔数为0.05的Cd替换摩尔数为0.1的Ga，将摩尔数为0.05的S替换摩尔数为0.1的Te，构成四元热电合金，该四元热电合金的化学式为Ga1.9Cd0.05S0.05Te2.9。
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