[发明专利]P-型Ga-Cd-S-Te四元化合物中温热电合金及其制备工艺有效
| 申请号： | 201510201314.2 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104843654B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 崔教林 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 宁波奥凯专利事务所(普通合伙)33227 | 代理人： | 白洪长 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ga cd te 化合物 温热 合金 及其 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种P-型Ga-Cd-S-Te四元化合物中温热电合金，其特征在于将摩尔分数为0.01的Cd替换摩尔分数为0.02的Ga，将摩尔分数为0.01的S替换摩尔分数为0.02的Te，构成四元热电合金，该四元热电合金的化学式为Ga1.9Cd0.05S0.05Te2.9。
2.一种P-型Ga-Cd-S-Te四元化合物中温热电合金的制备工艺，其制备工艺是根据化学式Ga1.9Cd0.05S0.05Te2.9将四种元素放置在石英管内真空熔炼合成，熔炼合成温度为1050～1150℃，合成时间20～28小时，然后将真空石英管内的四元化合物随炉冷却至700～900℃后立即在水中淬火，将淬火后的铸锭粉碎、球磨，球磨后的粉末经放电等离子烧结制备，烧结温度为350～450℃，烧结压力40～60MPa，烧结后的块体材料在真空石英管内退火200～280小时，退火温度350～450℃。
3.根据权利要求2所述的P-型Ga-Cd-S-Te四元化合物中温热电合金的制备工艺，其特征是所述熔炼合成温度为1100℃，烧结温度为400℃，烧结压力50MPa，在烧结温度下保温时间10分钟。
4. 根据权利要求2所述的P-型Ga-Cd-S-Te四元化合物中温热电合金的制备工艺，其特征是将所述热电合金烧结后的块体材料在真空石英管内退火240小时，退火温度390℃。
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