[发明专利]PN结制作方法及太阳能电池片

摘要

本发明提供了一种PN结制作方法及太阳能电池片。该PN结制作方法包括：掺磷步骤，在810℃～870℃，向硅片表面通入氧气和三氯氧磷。上述制作方法相对现有技术的低温扩散，会获得宽度较大的PN结，即获得较浅的磷扩散深度，故电流从结到电极处的距离减小，载流子在迁移过程中被复合几率降低，导致电极电流增大。同时伴随着磷扩散深度较浅，N型部分中的磷浓度逐渐变大，硅片表面的磷浓度则趋于一稳定值，即在此温度区间可以通过调整温度实现硅片表面磷浓度的变化，从而间接调控PN结产生的电极电流。由于PN结的结宽较大，即获得了较浅的磷扩散深度，在硅片表面与PN结之间的磷原子浓度增大，从而使PN结曲线较陡。

主权项

1.一种PN结制作方法，其特征在于，所述PN结制作方法包括依次进行的：向硅片表面通入氧气以进行钝化的步骤，所述钝化的步骤中钝化温度为720℃～800℃，所述氧气的流量为200sccm～1500sccm，通入时间为3min～15min；向所述硅片表面通入三氯氧磷以进行预掺磷的步骤，所述预掺磷步骤的温度为720℃～800℃，所述三氯氧磷的流量为200sccm～800sccm，通入时间为2min～10min；对所述硅片表面进行第一次推进的步骤；掺磷步骤，在810℃～870℃，向硅片表面通入氧气和三氯氧磷，所述掺磷步骤中所述氧气的流量为500sccm～2000sccm，所述三氯氧磷的流量200sccm～1800sccm；对硅片表面进行第二次推进的步骤；以及向硅片表面通入三氯氧磷和氧气以进行补掺磷的步骤，所述补掺磷步骤中温度为750℃～810℃，所述三氯氧磷的流量为200sccm～1800sccm，所述氧气流量为500sccm～2000sccm，通入时间为5min～15min。