[发明专利]PN结制作方法及太阳能电池片

说明书

本发明提供了一种PN结制作方法及太阳能电池片。该PN结制作方法包括：掺磷步骤，在810℃～870℃，向硅片表面通入氧气和三氯氧磷。上述制作方法相对现有技术的低温扩散，会获得宽度较大的PN结，即获得较浅的磷扩散深度，故电流从结到电极处的距离减小，载流子在迁移过程中被复合几率降低，导致电极电流增大。同时伴随着磷扩散深度较浅，N型部分中的磷浓度逐渐变大，硅片表面的磷浓度则趋于一稳定值，即在此温度区间可以通过调整温度实现硅片表面磷浓度的变化，从而间接调控PN结产生的电极电流。由于PN结的结宽较大，即获得了较浅的磷扩散深度，在硅片表面与PN结之间的磷原子浓度增大，从而使PN结曲线较陡。

技术领域

本发明涉及新能源，具体而言，涉及一种PN结制作方法及太阳能电池片。

背景技术

作为清洁环保的新能源，太阳能电池的应用越来越普及。目前，行业内普遍采用低温沉积，高温推进的方法来制作PN结。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内电子很多空穴很少，而P型区内空穴很多电子很少，在他们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。这样，N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，一旦扩散就形成了一个由N指向P的“内电场”，从而阻止扩散进行，达到平衡后，就形成了一个特殊的薄层形成电势差，这就是PN结。

现有技术制备PN结的过程是将硅片放入扩散管后，先在较低温度下通入三氯氧磷和氧气，之后再升温，在高温状态下进行推进，之后降温，出舟。该种方法制备的PN结的结宽较窄，故硅片表面到结的距离较大即结深较大，引起硅片表面浓度较小且不稳定，不易控制。以结深为横轴，表面磷浓度为纵轴，现有技术中表面磷浓度—结深形成的直线较缓。综上所述，该方法形成的PN结曲线坡度较缓(此处的PN曲线表示N型半导体中磷浓度与结深的变化曲线)，且表面浓度不容易控制。

基于上述现有处理方法中的缺点，有必要提出一种新的PN结制备方法，可以使PN结曲线较陡，确保硅表面P浓度容易控制。

发明内容

本发明旨在提供一种PN结制作方法及太阳能电池片，以解决现有技术中硅表面磷浓度不易控制，PN结曲线较平缓的问题。

根据本申请的一个方面，提供了一种PN结制作方法，该PN结制作方法包括：掺磷步骤，在810℃～870℃，向硅片表面通入氧气和三氯氧磷。

进一步地，上述掺磷步骤中氧气的流量为500sccm～2000sccm，三氯氧磷的流量200sccm～1800sccm。

进一步地，上述氧气和三氯氧磷的通入时间为2min～8min。

进一步地，上述掺磷步骤之前，PN结制作方法还包括向硅片表面通入三氯氧磷以进行预掺磷的步骤。

进一步地，上述预掺磷步骤的温度为720℃～800℃，三氯氧磷的流量为200sccm～800sccm，通入时间为2min～10min。

进一步地，在上述预掺磷步骤之后，掺磷步骤之前，PN结制作方法还包括对硅片表面进行第一次推进的步骤。

进一步地，上述第一次推进时间为5min～18min。

进一步地，在上述掺磷步骤之后，PN结制作方法还包括对硅片表面进行第二次推进的步骤。

进一步地，上述第二次推进时间为3min～12min。

进一步地，在上述第二次推进步骤之后，PN结制作方法还包括向硅片表面通入三氯氧磷和氧气以进行补掺磷的步骤。

进一步地，上述补掺磷步骤中温度为750℃～810℃，三氯氧磷的流量为200sccm～1800sccm，氧气流量为500sccm～2000sccm，通入时间为5min～15min。