[发明专利]一种制作阵列基板的方法及其阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201510199009.4 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104779202B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 刘圣烈;崔承镇;宋泳锡 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汪扬;景军平 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制作阵列基板的方法及其阵列基板和显示装置，其中制作阵列基板的方法可以包括：形成包括源漏极和数据线的图形；形成非晶半导体薄膜层；退火，以便仅仅将源漏极和数据线上的非晶半导体薄膜层转换成金属半导体化合物。通过仅仅将源漏极和数据线上的非晶半导体薄膜层转换成金属半导体化合物，形成的金属半导体化合物可以防止金属薄膜层例如低电阻金属Cu或Ti层表面在后续工艺中的氧化腐蚀，有助于制造使用Cu或Ti的金属氧化物薄膜晶体管结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 阵列 方法 及其 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种制作阵列基板的方法，包括：形成作为源漏极和数据线的金属薄膜层的图形；在所述金属薄膜层的图形上形成非晶半导体薄膜层；退火，以便仅仅将源漏极和数据线上的所述非晶半导体薄膜层转换成金属半导体化合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510199009.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶片的加工方法
- 下一篇：基板处理装置以及基板处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
