[发明专利]晶体管T形栅的制造方法

摘要

本发明提出了一种用于微波、毫米波集成电路的高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法。该方法的特点之一是利用两次散焦来形成T形栅的结构以增强其机械强度和可靠性，特点之二是在制造过程中采用了微缩步骤和热变形步骤以减少T形栅的根部腔体的尺寸，从而制造出了较小栅极长度的T形栅。

主权项

1.一种制造晶体管T形栅的方法，其特征是包含了如下步骤：1）在半导体基板上涂布具有第一光阻层厚度和第一光阻层类型的第一光阻层；2）对所述第一光阻层进行第一软烘烤；3）将所述第一光阻层通过具有第一光罩图案的第一光罩在第一光源下进行第一曝光，并以第一散焦差值使投影在第一光阻层上的第一光罩图像散焦；4）对第一曝光后的所述第一光阻层进行烘烤、显影、清洗，以在所述第一光阻层上形成具有第一根部腔体长度和圆弧边角的第一根部腔体；5）对显影过的所述第一光阻层进行第一硬烘烤；6）在所述第一光阻层上涂布具有第二光阻层厚度和第二光阻层类型的第二光阻层；7）对所述第二光阻层进行第二软烘烤；8）将所述第二光阻层通过具有第二光罩图案的第二光罩在第二光源下进行第二曝光，并以第二散焦差值使投影在所述第二光阻层上的第二光罩图像散焦；9）对所述第二光阻层进行第二曝光后的烘烤、显影、清洗，以在所述第二光阻层上形成具有头部腔体长度的头部腔体；10）对显影过的所述第二光阻层进行第二硬烘烤；11）使用真空蒸镀法沉积栅极金属层；12）从所述第二光阻层剥离栅极金属层，并去除所述第一光阻层和第二光阻层，最后对所述半导体基板进行清洗和烘烤。