[发明专利]晶体管T形栅的制造方法在审
| 申请号： | 201510199007.5 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104882373A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 石以瑄;杨光宇;邱树农;韩露;石恩地;邱星星;石宇琦 | 申请（专利权）人： | 石以瑄;石宇琦;邱树农;韩露;邱星星 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L21/335;G03F7/20 |
| 代理公司： | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人： | 徐鸣 |
| 地址： | 加拿大魁北克省*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种制造晶体管T形栅的方法，其特征是包含了如下步骤：
1）在半导体基板上涂布具有第一光阻层厚度和第一光阻层类型的第一光阻层；
2）对所述第一光阻层进行第一软烘烤；
3）将所述第一光阻层通过具有第一光罩图案的第一光罩在第一光源下进行第一曝光，并以第一散焦差值使投影在第一光阻层上的第一光罩图像散焦；
4）对第一曝光后的所述第一光阻层进行烘烤、显影、清洗，以在所述第一光阻层上形成具有第一根部腔体长度和圆弧边角的第一根部腔体；
5）对显影过的所述第一光阻层进行第一硬烘烤；
6）在所述第一光阻层上涂布具有第二光阻层厚度和第二光阻层类型的第二光阻层；
7）对所述第二光阻层进行第二软烘烤；
8）将所述第二光阻层通过具有第二光罩图案的第二光罩在第二光源下进行第二曝光，并以第二散焦差值使投影在所述第二光阻层上的第二光罩图像散焦；
9）对所述第二光阻层进行第二曝光后的烘烤、显影、清洗，以在所述第二光阻层上形成具有头部腔体长度的头部腔体；
10）对显影过的所述第二光阻层进行第二硬烘烤；
11）使用真空蒸镀法沉积栅极金属层；
12）从所述第二光阻层剥离栅极金属层，并去除所述第一光阻层和第二光阻层，最后对所述半导体基板进行清洗和烘烤。
2.如权利要求1所述的制造晶体管T形栅的方法，其特征在于：还包括了在显影后硬化所述第一光阻层表面和第二光阻层表面的步骤。
3.如权利要求1所述的制造晶体管T形栅的方法，其特征在于：其中所述的第一光阻层类型与第二光阻层类型相反。
4.如权利要求1所述的制造晶体管T形栅的方法，其特征在于：其中所述在第一光阻层上的散焦是负散焦。
5.如权利要求1所述的制造晶体管T形栅的方法，其特征在于：还包括了在所述半导体基板涂布所述第一光阻层之前，涂布增粘层的步骤。
6.如权利要求1所述的制造晶体管T形栅的方法，其特征在于：还包括了在所述半导体基板涂布所述第一光阻层之前，涂布底部抗反射层的步骤。
7.如权利要求1所述的制造晶体管T形栅的方法，其特征在于：还包括了在所述第一光阻层中形成第一根部腔体之后的一个缩小所述第一根部腔体长度的化学微缩步骤。
8.如权利要求1所述的制造晶体管T形栅的方法，其特征在于：还包括了在形成第一根部腔体后的一个缩小所述第一根部腔体长度的热变形步骤。
9.如权利要求1所述的制造晶体管T形栅的方法，其特征在于：还包括了沉积具有钝化层厚度的钝化层的步骤，以钝化晶体管器件。
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