[发明专利]一种非晶态快离子导体材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510196875.8 申请日: 2015-04-23
公开(公告)号: CN104851473B 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 陶海征;王鹏鹏;乔昂;钟昌理;岳远征 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: H01B1/06 分类号: H01B1/06;H01B1/10;H01B13/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 代理人: 邬丽明
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种新型非晶态快离子导体材料及其制备方法,所述的新型非晶态快离子导体材料的组成按化学式表示为(100mol%‑x)Ag3PS4·xAgI,其中,x=10~85mol%。具体制备方法为在具有氮气气氛保护的手套箱内,将三种反应原材料Ag2S、P2S5、AgI混合均匀,加入二氧化锆球置于球磨罐中,加入适量研磨助剂,在氮气气氛下密封,置于球磨机中进行高能球磨,然后将制得的样品在真空条件下干燥,得到所述固体电解质材料。该方法突破了同组分物质以传统熔融淬冷法难以形成非晶态材料的限制,且反应条件温和,制备工艺简单易行,制备的样品为非晶态材料,样品室温离子电导率较高,具有较好的实用价值和应用前景。
搜索关键词: 一种 新型 晶态 离子 导体 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种非晶态快离子导体材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)选取原料:按照化学式(100mol%‑x)Ag3PS4·xAgI,其中,x=10~85mol%;选取Ag2S、P2S5、AgI三种原料备用,其中Ag2S:P2S5的摩尔比为=3:1;2)配料:在充满惰性气氛的环境中,将步骤1)中三种原料研磨,经研磨混合制成配合料后,置于球磨罐中,同时,称取适量研磨球,其中球料比为10:1~20:1,量取适量研磨助剂置于球磨罐中,并将球磨罐在惰性气氛保护下密封;3)将密封好的球磨罐置于球磨机中,将球磨罐以500~800rpm的转速球磨10‑15h;4)将球磨好的样品置于真空环境中干燥制得所述的非晶态材料,干燥温度为60~80摄氏度,干燥时间为4~8h。
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