[发明专利]一种非晶态快离子导体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510196875.8 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN104851473B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 陶海征;王鹏鹏;乔昂;钟昌理;岳远征 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01B1/06 | 分类号： | H01B1/06;H01B1/10;H01B13/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 邬丽明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 晶态 离子 导体 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非晶态快离子导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)选取原料：按照化学式(100mol％-x)Ag3PS4·xAgI，其中，x＝10～85mol％；选取Ag2S、P2S5、AgI三种原料备用，其中Ag2S:P2S5的摩尔比为＝3:1；
2)配料：在充满惰性气氛的环境中，将步骤1)中三种原料研磨，经研磨混合制成配合料后，置于球磨罐中，同时，称取适量研磨球，其中球料比为10:1～20:1，量取适量研磨助剂置于球磨罐中，并将球磨罐在惰性气氛保护下密封；
3)将密封好的球磨罐置于球磨机中，将球磨罐以500～800rpm的转速球磨10-15h；
4)将球磨好的样品置于真空环境中干燥制得所述的非晶态材料，干燥温度为60～80摄氏度，干燥时间为4～8h。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中的研磨助剂为正庚烷，用量为3-5ml。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学，未经武汉理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510196875.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种耐高温防水引流电缆
- 下一篇：一种三单元磁四极透镜系统及其制备方法
