[发明专利]用于绝缘体上硅射频开关器件结构的制造方法

摘要

一种用于绝缘体上硅射频开关器件结构的制造方法，包括形成绝缘体上硅射频开关器件的基本结构，基本结构包括在有源层中形成的源极区域、栅极区域和漏极区域，其中在栅极区域上形成了栅极氧化层和栅极多晶硅，有源层上覆盖有介质层，在介质层上形成有通过通孔分别与源极区域和漏极区域连接的源极金属布线和漏极金属布线；沉积介质材料并对沉积的介质材料进行平坦化处理，以使得介质层的厚度变大，其中介质材料完全覆盖源极金属布线和漏极金属布线；在介质层中刻蚀出位于源极金属布线和漏极金属布线之间的凹槽；在凹槽中部分地填充介质材料，以便在凹槽中形成被介质材料包围的空隙。

主权项

一种用于绝缘体上硅射频开关器件结构的制造方法，其特征在于包括：首先，形成绝缘体上硅射频开关器件的基本结构，所述基本结构包括布置在衬底上的掩埋氧化物层上的有源层，所述有源层中形成有源极区域、栅极区域和漏极区域，而且在栅极区域上形成了栅极氧化层和栅极多晶硅，有源层上覆盖有介质层，在介质层上形成有通过通孔分别与源极区域和漏极区域连接的源极金属布线和漏极金属布线，其中，源极金属布线和漏极金属布线的厚度不大于其次，沉积介质材料并对沉积的介质材料进行平坦化处理，以使得介质层的厚度变大，其中厚度变大后的介质层的顶部与源极金属布线和漏极金属布线的顶部之间的距离介于之间，介质材料完全覆盖源极金属布线和漏极金属布线；随后，在介质层中刻蚀出位于源极金属布线和漏极金属布线之间的凹槽；此后，在凹槽中部分地填充介质材料，以便在凹槽中形成被介质材料包围的空隙。