[发明专利]绝缘体上硅射频开关器件结构在审
| 申请号： | 201510189302.2 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104810406A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘体上硅射频开关器件结构，包括：作为绝缘层的掩埋氧化物层、布置在掩埋氧化物层上的器件区和体区；其中，在器件区中形成有沟道区、源极区和漏极区；而且，其中，沟道区上依次布置有栅极氧化层和栅极多晶硅；在体区中形成有阱区，而且所述阱区与沟道区连接；阱区的在与绝缘体上硅射频开关器件的沟道方向相垂直的方向上的与器件区相对的一端形成有接触区；阱区在与绝缘体上硅射频开关器件的沟道方向相垂直的方向上的长度被选择成使得阱区等效电阻不小于预定电阻值，阱区等效电阻由阱区形成，并且阱区等效电阻以接触区为第一电阻连接端而且以阱区与沟道区的连接面为第二电阻连接端。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 射频 开关 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于包括：作为绝缘层的掩埋氧化物层、布置在掩埋氧化物层上的器件区和体区；其中，在器件区中形成有沟道区、源极区和漏极区；而且，其中，沟道区上依次布置有栅极氧化层和栅极多晶硅；在体区中形成有阱区，而且所述阱区与沟道区连接；阱区的在与绝缘体上硅射频开关器件的沟道方向相垂直的方向上的与器件区相对的一端形成有接触区；阱区在与绝缘体上硅射频开关器件的沟道方向相垂直的方向上的长度被选择成使得阱区等效电阻不小于预定电阻值。
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