[发明专利]绝缘体上硅射频开关器件结构

权利要求书

1.一种绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于包括：作为绝缘层的掩埋氧化物层、布置在掩埋氧化物层上的器件区和体区；其中，在器件区中形成有沟道区、源极区和漏极区；而且，其中，沟道区上依次布置有栅极氧化层和栅极多晶硅；在体区中形成有阱区，而且所述阱区与沟道区连接；阱区的在与绝缘体上硅射频开关器件的沟道方向相垂直的方向上的与器件区相对的一端形成有接触区；阱区在与绝缘体上硅射频开关器件的沟道方向相垂直的方向上的长度被选择成使得阱区等效电阻不小于预定电阻值。

2.根据权利要求1所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，阱区等效电阻由阱区形成。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，阱区等效电阻以接触区为第一电阻连接端，以阱区与沟道区的连接面为第二电阻连接端。

4.根据权利要求1或2所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，或者，所述预定电阻值介于45k ohms至80k ohms之间。

5.根据权利要求1或2所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，所述预定电阻值为50k ohms。

6.根据权利要求1或2所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，阱区在与绝缘体上硅射频开关器件的沟道方向相垂直的方向上的长度不小于绝缘体上硅射频开关器件的沟道长度的预定倍数。

7.根据权利要求1或2所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，掩埋氧化物层布置在硅基底层上。

8.根据权利要求7所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，硅基底层用于为上面的掩埋氧化物层和掩埋氧化物层上的器件结构提供机械支撑。