[发明专利]一种用于超大面阵CMOS图像传感器的全局复位释放控制方法在审

专利信息
申请号: 201510187730.1 申请日: 2015-04-20
公开(公告)号: CN104796635A 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: 徐晚成;苏凯;张曼;汪西虎;张先娆 申请(专利权)人: 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/361;H04N5/351
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710068 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明属于CMOS图像传感器领域,具体涉及一种用于超大面阵CMOS图像传感器的全局复位释放控制方法。本方法首先控制像元感光区域各行像元逐行复位,在逐行复位操作结束后控制整个面阵的所有像元同时进入、退出曝光状态,在曝光结束后,逐行读取曝光数据。本发明通过控制面阵同时进入、退出曝光状态,能够消除传感器对运动物体的捕捉失真。并且本方法可以改善传统全局曝光控制方式下,大面阵像元的暗电流不一致问题。同时具有易于实现,扩展性强,应用范围广的优点。
搜索关键词: 一种 用于 大面 cmos 图像传感器 全局 复位 释放 控制 方法
【主权项】:
一种用于超大面阵CMOS图像传感器的全局复位释放控制方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1)像元感光区域复位:根据参与成像的像元行数,控制各行像元进行逐行复位操作;步骤2)像元阵列积分:当逐行复位操作完成后,整个感光面阵同时进入曝光状态,开始接受光照,产生光生电荷,至曝光结束;步骤3)曝光数据读取:曝光结束后,逐行读取曝光数据;对于各行像素单元,在上一帧的曝光数据读取完成后,进入下一帧的曝光前逐行复位操作;至末帧最后一行像素单元读取曝光数据结束。
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