[发明专利]一种用于超大面阵CMOS图像传感器的全局复位释放控制方法

权利要求书

1.一种用于超大面阵CMOS图像传感器的全局复位释放控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)像元感光区域复位：根据参与成像的像元行数，控制各行像元进行逐行复位操作；

步骤2)像元阵列积分：当逐行复位操作完成后，整个感光面阵同时进入曝光状态，开始接受光照，产生光生电荷，至曝光结束；

步骤3)曝光数据读取：曝光结束后，逐行读取曝光数据；对于各行像素单元，在上一帧的曝光数据读取完成后，进入下一帧的曝光前逐行复位操作；至末帧最后一行像素单元读取曝光数据结束。

2.根据权利要求1所述的一种用于超大面阵CMOS图像传感器的全局复位释放控制方法，其特征在于，

所述步骤1)具体操作为：对于各次成像，根据参与成像的像元行数，控制各行像元逐行进行复位：首先控制第一行像元的复位管和传输管开启，对光电二极管进行复位操作，在第一行的像元完成复位后，第一行像元的复位管和传输管复位管和传输管关闭，第二行的像元复位管和传输管再同时开启，对第二行的光电二极管进行复位操作，依此类推，至最后一行像元的复位操作完成。

3.根据权利要求1或2所述的一种用于超大面阵CMOS图像传感器的全局复位释放控制方法，其特征在于，所述步骤1)每一行像元复位操作完成时，判断该行是否为末行，若是，则进入步骤2)，若不是，则向行向复位寻址寄存器返回，进入下一行像元复位操作。

4.根据权利要求1所述的一种用于超大面阵CMOS图像传感器的全局复位释放控制方法，其特征在于，所述步骤3)具体操作为：经过所设定的积分时间后，由第一行像元开始，逐行的控制像元进行对FD点的二次复位、复位电压采样，之后传输管开启，光电荷向FD点转移、读出电路读出光电信号值。

5.根据权利要求1或4所述的一种用于超大面阵CMOS图像传感器的全局复位释放控制方法，其特征在于，所述步骤3)每一行像元由读出电路读出光电信号值之后，判断是否为帧末，若是，则帧结束；若不是，则向行向读出寻址寄存器返回，进入下一行像元读取曝光数据。

6.根据权利要求1或4所述的一种用于超大面阵CMOS图像传感器的全局复位释放控制方法，其特征在于，对于有相邻M行物理合并结构的像素单元，在不合并模式下，M行像素都完成上一帧的曝光数据读取后，再进入下一帧的曝光前逐行复位操作，即帧间间隔为M个行周期；在合并模式下，M行像素同时进行上一帧的曝光数据读取，则帧间间隔为1个行周期。

7.根据权利要求6所述的一种用于超大面阵CMOS图像传感器的全局复位释放控制方法，其特征在于，全局复位释放控制方法的曝光方式的帧频为：

frame_rate+1(N+M*binning)×period+INTE]]>

其中N为像元阵列包含的行数、INTE为积分时长、M为像素单元在行上的合并结构、binning在合并应用下为0，在非合并应用下为1、period为行周期。