[发明专利]深槽的制作方法有效

专利信息
申请号: 201510187465.7 申请日: 2015-04-17
公开(公告)号: CN104934362B 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 张振兴;奚裴;熊磊 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762;H01L21/311
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭示了一种深槽的制作方法。包括提供前端结构,所述前端结构形成有初始深槽;在所述前端结构上顺次形成AMR层、第一阻挡层和第二阻挡层;在所述初始深槽中填充光刻填充材料层,并覆盖前端结构;形成图案化的第一光阻层,之后对光刻填充材料层进行开口,暴露出位于初始深槽底部的部分第二阻挡层;去除暴露出的位于初始深槽底部的部分第二阻挡层以及其下方的第一阻挡层,暴露出AMR层;去除光刻填充材料层及第一光阻层,形成图案化的第二光阻层,暴露出部分第二阻挡层;去除暴露出的部分第二阻挡层以及其下方的第一阻挡层,暴露出AMR层;去除第二光阻层,获得所需深槽。本方法获得的深槽侧壁及底壁平整,提高了器件的可靠性。
搜索关键词: 制作方法
【主权项】:
一种深槽的制作方法,包括:提供前端结构,所述前端结构形成有初始深槽;在所述前端结构上顺次形成AMR层、第一阻挡层和第二阻挡层;在所述初始深槽中填充光刻填充材料层,并覆盖前端结构;形成第一光阻层,进行第一次光刻,之后对光刻填充材料层进行开口,暴露出位于初始深槽底部的部分第二阻挡层;去除暴露出的位于初始深槽底部的部分第二阻挡层以及其下方的第一阻挡层,暴露出AMR层;去除光刻填充材料层及第一光阻层,形成第二光阻层,进行第二次光刻,获得图案化的第二光阻层,暴露出部分第二阻挡层,第二次光刻后暴露出的第二阻挡层包括靠近所述开口的初始深槽侧壁上的第二阻挡层以及所述开口与所述初始深槽侧壁之间的第二阻挡层;去除暴露出的部分第二阻挡层以及其下方的第一阻挡层,暴露出AMR层;去除第二光阻层,获得所需深槽。
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