[发明专利]深槽的制作方法有效
申请号: | 201510187465.7 | 申请日: | 2015-04-17 |
公开(公告)号: | CN104934362B | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 张振兴;奚裴;熊磊 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L21/311 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示了一种深槽的制作方法。包括提供前端结构,所述前端结构形成有初始深槽;在所述前端结构上顺次形成AMR层、第一阻挡层和第二阻挡层;在所述初始深槽中填充光刻填充材料层,并覆盖前端结构;形成图案化的第一光阻层,之后对光刻填充材料层进行开口,暴露出位于初始深槽底部的部分第二阻挡层;去除暴露出的位于初始深槽底部的部分第二阻挡层以及其下方的第一阻挡层,暴露出AMR层;去除光刻填充材料层及第一光阻层,形成图案化的第二光阻层,暴露出部分第二阻挡层;去除暴露出的部分第二阻挡层以及其下方的第一阻挡层,暴露出AMR层;去除第二光阻层,获得所需深槽。本方法获得的深槽侧壁及底壁平整,提高了器件的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 制作方法 | ||
【主权项】:
一种深槽的制作方法,包括:提供前端结构,所述前端结构形成有初始深槽;在所述前端结构上顺次形成AMR层、第一阻挡层和第二阻挡层;在所述初始深槽中填充光刻填充材料层,并覆盖前端结构;形成第一光阻层,进行第一次光刻,之后对光刻填充材料层进行开口,暴露出位于初始深槽底部的部分第二阻挡层;去除暴露出的位于初始深槽底部的部分第二阻挡层以及其下方的第一阻挡层,暴露出AMR层;去除光刻填充材料层及第一光阻层,形成第二光阻层,进行第二次光刻,获得图案化的第二光阻层,暴露出部分第二阻挡层,第二次光刻后暴露出的第二阻挡层包括靠近所述开口的初始深槽侧壁上的第二阻挡层以及所述开口与所述初始深槽侧壁之间的第二阻挡层;去除暴露出的部分第二阻挡层以及其下方的第一阻挡层,暴露出AMR层;去除第二光阻层,获得所需深槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510187465.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电动汽车电源Pack
- 下一篇:一种锂离子电池软包装材料制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造