[发明专利]深槽的制作方法有效
| 申请号： | 201510187465.7 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104934362B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张振兴;奚裴;熊磊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作方法 | ||
1.一种深槽的制作方法，包括：
提供前端结构，所述前端结构形成有初始深槽；
在所述前端结构上顺次形成AMR层、第一阻挡层和第二阻挡层；
在所述初始深槽中填充光刻填充材料层，并覆盖前端结构；
形成第一光阻层，进行第一次光刻，之后对光刻填充材料层进行开口，暴露出位于初始深槽底部的部分第二阻挡层；
去除暴露出的位于初始深槽底部的部分第二阻挡层以及其下方的第一阻挡层，暴露出AMR层；
去除光刻填充材料层及第一光阻层，形成第二光阻层，进行第二次光刻，获得图案化的第二光阻层，暴露出部分第二阻挡层，第二次光刻后暴露出的第二阻挡层包括靠近所述开口的初始深槽侧壁上的第二阻挡层以及所述开口与所述初始深槽侧壁之间的第二阻挡层；
去除暴露出的部分第二阻挡层以及其下方的第一阻挡层，暴露出AMR层；
去除第二光阻层，获得所需深槽。
2.如权利要求1所述的深槽的制作方法，其特征在于，所述初始深槽的深度为2-4μm。
3.如权利要求1所述的深槽的制作方法，其特征在于，所述光刻填充材料层位于前端结构之上的厚度为2-4μm。
4.如权利要求1所述的深槽的制作方法，其特征在于，所述AMR层的材料为铁镍合金，所述第一阻挡层的材料为氮化钛，所述第二阻挡层的材料为氮化硅。
5.如权利要求3所述的深槽的制作方法，其特征在于，所述AMR层、第一阻挡层和第二阻挡层位于初始深槽外的厚度大于位于初始深槽内的厚度。
6.如权利要求3所述的深槽的制作方法，其特征在于，所述AMR层位于初始深槽外的厚度为所述第一阻挡层位于初始深槽外的厚度为所述第二阻挡层位于初始深槽外的厚度为
7.如权利要求1所述的深槽的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀形成所述开口，刻蚀时间为180-210s。
8.如权利要求1所述的深槽的制作方法，其特征在于，所述开口偏离所述初始深槽的中心线。
9.如权利要求1所述的深槽的制作方法，其特征在于，第二次光刻后暴露出的第二阻挡层还包括第二阻挡层在前端结构上紧邻所述初始深槽侧壁的一部分。
10.如权利要求9所述的深槽的制作方法，其特征在于，去除第一光阻层和第二光阻层包括：进行灰化处理和清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
