[发明专利]多晶硅刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅刻蚀方法，包括步骤：在半导体衬底表面上依次形成第一介质层和多晶硅层；采用干法等离子体刻蚀工艺对多晶硅层进行刻蚀；在相同的刻蚀腔体中进行干法处理工艺，干法处理工艺利用等离子体使聚合物保持悬浮状态并排出刻蚀腔体外。本发明能减少或消除多晶硅刻蚀后在半导体衬底表面形成的球形缺陷，提高产品良率。

主权项

一种多晶硅刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底表面上依次形成第一介质层和多晶硅层；步骤二、采用干法等离子体刻蚀工艺对所述多晶硅层进行刻蚀，所述干法等离子体刻蚀工艺条件包括：RF射频源、刻蚀气体和载气，通过所述RF射频源和流入到刻蚀腔体中的所述载气和所述刻蚀气体产生等离子体，利用所述刻蚀气体对所述多晶硅层的刻蚀速率大于对所述第一介质层的刻蚀速率的特性实现对所述半导体衬底表面上的所述多晶硅层的完全刻蚀，所述刻蚀气体和所述硅反应时还会形成聚合物；步骤三、对所述半导体衬底表面上的所述多晶硅层的完全刻蚀之后在相同的所述刻蚀腔体中进行干法处理工艺，所述干法处理工艺条件包括：RF射频源和载气且所述干法处理工艺中不包括刻蚀气体，从所述干法等离子体刻蚀工艺到所述干法处理工艺的过程中所述RF射频源持续输出，利用所述RF射频源和所述载气使等离子体持续产生，利用等离子体使所述干法等离子体刻蚀工艺中产生的所述聚合物保持悬浮状态，利用所述载气将处于悬浮状态的所述聚合物带出到所述刻蚀腔体外，避免所述聚合物粘附在所述半导体衬底表面形成球形缺陷。