[发明专利]多晶硅刻蚀方法

权利要求书

1.一种多晶硅刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在半导体衬底表面上依次形成第一介质层和多晶硅层；

步骤二、采用干法等离子体刻蚀工艺对所述多晶硅层进行刻蚀，所述干法等离子体刻蚀工艺条件包括：RF射频源、刻蚀气体和载气，通过所述RF射频源和流入到刻蚀腔体中的所述载气和所述刻蚀气体产生等离子体，利用所述刻蚀气体对所述多晶硅层的刻蚀速率大于对所述第一介质层的刻蚀速率的特性实现对所述半导体衬底表面上的所述多晶硅层的完全刻蚀，所述刻蚀气体和所述硅反应时还会形成聚合物；

步骤三、对所述半导体衬底表面上的所述多晶硅层的完全刻蚀之后在相同的所述刻蚀腔体中进行干法处理工艺，所述干法处理工艺条件包括：RF射频源和载气且所述干法处理工艺中不包括刻蚀气体，从所述干法等离子体刻蚀工艺到所述干法处理工艺的过程中所述RF射频源持续输出，利用所述RF射频源和所述载气使等离子体持续产生，利用等离子体使所述干法等离子体刻蚀工艺中产生的所述聚合物保持悬浮状态，利用所述载气将处于悬浮状态的所述聚合物带出到所述刻蚀腔体外，避免所述聚合物粘附在所述半导体衬底表面形成球形缺陷。

2.如权利要求1所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于：步骤一中所述半导体衬底用于形成沟槽栅功率MOSET，在形成所述第一介质层之前，在所述半导体衬底中形成有栅沟槽，所述第一介质层和所述多晶硅层除了形成于所述半导体衬底表面上之外，所述第一介质层还形成于所述栅沟槽的底面和侧面，所述多晶硅层将形成有所述第一介质层的所述栅沟槽完全填充，步骤二对所述半导体衬底表面上的所述多晶硅层的完全刻蚀后由填充于所述栅沟槽中的所述多晶硅层组成所述沟槽栅。

3.如权利要求1或2所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。

4.如权利要求1或2所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于：所述第一介质层的材料为二氧化硅。

5.如权利要求1或2所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀气体包括溴化氢。

6.如权利要求1或2所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于：所述干法处理工艺采用的RF射频源的功率能等于或低于所述干法等离子体刻蚀工艺的RF射频源，在保 证使等离子体持续产生的条件下，所述干法处理工艺采用的RF射频源的功率越低对所述半导体衬底的表面的保护越好。

7.如权利要求6所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于：所述干法处理工艺采用的RF射频源包括顶部RF和底部RF，所述干法处理工艺的底部RF功率越低对所述半导体衬底的表面的保护越好。

8.如权利要求1或2所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于：所述干法处理工艺采用的RF射频源包括顶部RF和底部RF。

9.如权利要求1或2所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于：所述干法处理工艺采用的载气和所述干法等离子体刻蚀工艺的载气能相同或不同，在保证使等离子体持续产生的条件下，所述干法处理工艺采用的载气的流量越大所述聚合物被移除的速率越快。

10.如权利要求1或2所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于：所述干法处理工艺采用的载气包括氦气和氧气。

11.如权利要求9所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于：所述干法处理工艺采用的载气包括氦气和氧气。

12.如权利要求5所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于：所述聚合物包括溴化硅。

13.如权利要求1或2所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于：步骤二所述干法等离子体刻蚀工艺条件还包括真空压强和时间；步骤三中所述干法处理工艺条件还包括真空压强和时间。