[发明专利]低功耗基准电压源

摘要

本发明属于集成电路技术领域，涉及一种低功耗基准电压源，包括由增强型MOS管与耗尽型NMOS管组成的三级放大器电路以及启动电路；所述三级放大器电路包括：第一级放大器电路、第二级放大器电路和第三级放大器电路。其特点是：输出端VREF的电压与电源电压VDD无关，不随VDD的变化而改变；利用增强型管与耗尽型管的阈值具有相反的温度特性，使VREF的电压不随温度而变化；利用栅源短接的耗尽型NMOS管的导通电阻极大的特点，使电路的工作电流非常小，具有极低的静态功耗。由此本发明采用耗尽型MOS管和强型管MOS管组合的方式，产生了不随电源电压和温度变化的高精度低功耗的基准电压源电路。

主权项

低功耗基准电压源，包括：由增强型MOS管与耗尽型NMOS管组成的三级放大器电路以及启动电路；所述三级放大器电路包括：第一级放大器电路、第二级放大器电路和第三级放大器电路；所述第一级放大器是第一增强型NMOS共源极放大器电路，栅漏短接的第一PMOS管和第三PMOS管串联并作为放大器负载，第一PMOS漏极做为输出端；第一增强型NMOS管连接第三PMOS管漏极，所述启动电路用于开启第一增强型NMOS管；所述第二级放大器电路是由第二PMOS管和第四PMOS管组成的共源共栅放大器电路，第二PMOS管的栅极做输入并接第一级放大器的输出，栅源短接的第一耗尽型NMOS管作为放大器负载，第四PMOS漏极为输出端；所述第三级放大器电路是由第五PMOS管和第六PMOS管组成的共源共栅放大器电路，第五PMOS管栅极做输入并接第二级放大器的输出端，栅源短接的第二耗尽型NMOS管作为放大器负载，第二耗尽型NMOS漏极为电路输出端，并且接到第一级放大器的输入端。