[发明专利]低功耗基准电压源

权利要求书

1.低功耗基准电压源，包括：由增强型MOS管与耗尽型NMOS管组成的三级放大器电路以及启动电路；所述三级放大器电路包括：第一级放大器电路、第二级放大器电路和第三级放大器电路；

所述第一级放大器是第一增强型NMOS共源极放大器电路，栅漏短接的第一PMOS管和第三PMOS管串联并作为放大器负载，第一PMOS漏极做为输出端；第一增强型NMOS管连接第三PMOS管漏极，所述启动电路用于开启第一增强型NMOS管；

所述第二级放大器电路是由第二PMOS管和第四PMOS管组成的共源共栅放大器电路，第二PMOS管的栅极做输入并接第一级放大器的输出，栅源短接的第一耗尽型NMOS管作为放大器负载，第四PMOS漏极为输出端；

所述第三级放大器电路是由第五PMOS管和第六PMOS管组成的共源共栅放大器电路，第五PMOS管栅极做输入并接第二级放大器的输出端，栅源短接的第二耗尽型NMOS管作为放大器负载，第二耗尽型NMOS漏极为电路输出端，并且接到第一级放大器的输入端。

2.如权利要求1所述低功耗基准电压源，其特征在于，所述启动电路由第七PMOS管和启动电阻组成，所述第七PMOS管的源极和栅极分别连接电源端和地，启动电阻连接在第七PMOS管的漏极和地之间，所述第七PMOS管的漏极连接第一增强型NMOS管的栅极。

3.如权利要求1所述低功耗基准电压源，其特征在于：所述第一耗尽型NMOS管与第一增强型NMOS管的宽长比满足式1的要求，

(式1)

 式1中，为第一耗尽型NMOS管的宽长比，为第一增强型NMOS管的宽长比，Vthd1是耗尽型NMOS管的阈值电压，Vthn1是增强型NMOS管的阈值电压，T表示温度。

4.如权利要求1所述低功耗基准电压源，其特征在于，所述第二耗尽型NMOS漏极还连接有到地的补偿电容。