[发明专利]一种铜片表面生长氧化铜薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种铜片表面生长氧化铜薄膜的方法，将铜片清洁干净后放入质量分数为0.5～30％的过氧化氢溶液中，在10～80℃下静置0.1～36h，使铜片表面发生氧化，生成CuO；然后将铜片取出，清洗，然后真空干燥，得到生长在铜片表面的氧化铜薄膜。该方法工艺简单、成本低廉，能够在铜片表面生长出形貌均匀的氧化铜薄膜，并且通过对过氧化氢溶液的浓度、温度及静置时间的调节，能够得到厚度可调、形貌可控的纳米尺寸的氧化铜薄膜，该方法适于大规模化的工业生产，并且得到的氧化铜薄膜具有良好的传感、催化和储能特性，具有良好的应用前景。

主权项

一种铜片表面生长氧化铜薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将铜片清洁干净后放入质量分数为0.5～30％的过氧化氢溶液中，在10～80℃下静置0.1～36h，使铜片表面发生氧化，生成CuO；其中过氧化氢溶液与铜片的质量比为1:1～500:1；2)将步骤1)处理后的铜片取出，清洗，然后真空干燥，得到生长在铜片表面的氧化铜薄膜。