[发明专利]一种铜片表面生长氧化铜薄膜的方法在审
| 申请号： | 201510177896.5 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104805428A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 孔春才;杨志懋;杨生春;宋晓平 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C22/68 | 分类号： | C23C22/68;C01G3/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铜片 表面 生长 氧化铜 薄膜 方法 | ||
1.一种铜片表面生长氧化铜薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将铜片清洁干净后放入质量分数为0.5～30％的过氧化氢溶液中，在10～80℃下静置0.1～36h，使铜片表面发生氧化，生成CuO；其中过氧化氢溶液与铜片的质量比为1:1～500:1；
2)将步骤1)处理后的铜片取出，清洗，然后真空干燥，得到生长在铜片表面的氧化铜薄膜。
2.根据权利要求1所述的铜片表面生长氧化铜薄膜的方法，其特征在于：所述铜片的厚度为0.01mm～5mm。
3.根据权利要求1所述的铜片表面生长氧化铜薄膜的方法，其特征在于：铜片的清洁步骤为：先把铜片放入稀盐酸中超声清洗，然后将铜片取出冲洗干净，再静置使其自然干燥。
4.根据权利要求3所述的铜片表面生长氧化铜薄膜的方法，其特征在于：所述稀盐酸的质量分数为1～3％。
5.根据权利要求3所述的铜片表面生长氧化铜薄膜的方法，其特征在于：所述超声清洗的时间为5～10min，超声功率为20～80W。
6.根据权利要求3所述的铜片表面生长氧化铜薄膜的方法，其特征在于：所述冲洗使用的溶剂为水和无水乙醇。
7.根据权利要求1所述的铜片表面生长氧化铜薄膜的方法，其特征在于：所述步骤2)中清洗使用的溶剂为水和无水乙醇。
8.根据权利要求1所述的铜片表面生长氧化铜薄膜的方法，其特征在于：所述步骤2)中真空干燥的温度为45～55℃，压力为120Pa，时间为10～14h。
9.根据权利要求1所述的铜片表面生长氧化铜薄膜的方法，其特征在于：所述步骤2)得到的氧化铜薄膜的形貌为纳米片、纳米棒或纳米线。
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