[发明专利]光子晶体或微纳光栅结构在光纤端面的柔性转印方法有效

专利信息
申请号: 201510176065.6 申请日: 2015-04-14
公开(公告)号: CN104808284B 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 张新平 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G02B6/02 分类号: G02B6/02
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 代理人: 张慧
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 光子晶体或微纳光栅结构在光纤端面的柔性转印方法,属于纳米光子材料及器件技术领域。在镀有金属氧化物薄膜的大面积平板衬底上制备金属或介电材料光子晶体或微纳光栅结构,采用“剥离转印”和“焊接转印”两种不同工艺过程实现光子晶体到光纤端面的转印“剥离转印”中,首先利用缓冲层腐蚀工艺,将光子晶体从大面积平板衬底上剥离下来,直接贴覆于光纤端面;“焊接转印”中,首先将光纤固定在制备于平板衬底表面地大面积光子晶体的表面,将其在接触点用柔性物质连接,再利用缓冲层腐蚀工艺,将光子晶体从大面积平板衬底上剥离下来,而转移在光纤的端面。此转印工艺的成功率达100%,是一种无损转印方法。
搜索关键词: 光子 晶体 光栅 结构 光纤 端面 柔性 方法
【主权项】:
基于金属或介电材料的光子晶体或微纳光栅结构在光纤端面的转印方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在镀有缓冲层薄膜的平板衬底上制备介电材料或金属材料薄膜光子晶体或微纳光栅结构,产生用于转印的薄膜光子晶体或微纳光栅结构样品器件;2)将1)中制备的薄膜光子晶体或微纳光栅结构样品浸入盐酸溶液中,令缓冲层薄膜与盐酸充分反应,直至薄膜光子晶体或微纳光栅结构脱离平板衬底,浮于盐酸溶液的表面;3)从盐酸溶液中取出薄膜光子晶体或微纳光栅结构,置于纯净水中,洗去薄膜光子晶体或微纳光栅结构表面残留的盐酸溶液;4)将薄膜光子晶体或微纳光栅结构置于中空支架上,使其在空气中干燥;5)将薄膜光子晶体或微纳光栅结构覆盖在光纤端面,使光子晶体或微纳光栅结构质量最好、均匀程度最高区域与光纤端面接触并贴合;6)去除支架,修整器件。
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