[发明专利]光子晶体或微纳光栅结构在光纤端面的柔性转印方法

权利要求书

1.基于金属或介电材料的光子晶体或微纳光栅结构在光纤端面的转印方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在镀有缓冲层薄膜的平板衬底上制备介电材料或金属材料薄膜光子晶体或微纳光栅结构，产生用于转印的薄膜光子晶体或微纳光栅结构样品器件；

2)将1)中制备的薄膜光子晶体或微纳光栅结构样品浸入盐酸溶液中，令缓冲层薄膜与盐酸充分反应，直至薄膜光子晶体或微纳光栅结构脱离平板衬底，浮于盐酸溶液的表面；

3)从盐酸溶液中取出薄膜光子晶体或微纳光栅结构，置于纯净水中，洗去薄膜光子晶体或微纳光栅结构表面残留的盐酸溶液；

4)将薄膜光子晶体或微纳光栅结构置于中空支架上，使其在空气中干燥；

5)将薄膜光子晶体或微纳光栅结构覆盖在光纤端面，使光子晶体或微纳光栅结构质量最好、均匀程度最高区域与光纤端面接触并贴合；

6)去除支架，修整器件。

2.基于金属或介电材料的光子晶体或微纳光栅结构在光纤端面的转印方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在镀有缓冲层薄膜的平板衬底上制备介电材料或金属材料薄膜光子晶体或微纳光栅结构，产生用于转印的薄膜光子晶体或微纳光栅结构样品器件；

2)将薄膜光子晶体或微纳光栅结构样品水平放置，而将光纤竖直固定，并使光纤下端面自由接触于薄膜光子晶体或微纳光栅结构上表面；

3)在光纤与薄膜光子晶体或微纳光栅结构的接触点处滴下微量的透明高分子材料溶液，使高分子材料能够充分填充光纤与薄膜光子晶体或微纳光栅结构间的空间，并将光纤牢固焊接于薄膜光子晶体表面；

4)将3)中样品整体置于盐酸溶液中，使盐酸与缓冲层薄膜充分反应，而使得焊接于光纤端面的薄膜光子晶体或微纳光栅结构脱离平板衬底；

5)将焊接于光纤端面的薄膜光子晶体或微纳光栅结构在纯净水中清洗后干燥成型，修整光子晶体边缘，完成转印工艺。

3.按照权利要求1或2的基于金属或介电材料的光子晶体或微纳光栅结构在光纤端面的转印方法，其特征在于，盐酸溶液优选质量浓度为20％。

4.按照权利要求1或2的基于金属或介电材料的光子晶体或微纳光栅结构在光纤端面的转印方法，其特征在于，缓冲层可采用任何溶于酸性溶液金属氧化物或其它无机物质材料的薄膜，厚度大于100nm。

5.按照权利要求2的基于金属或介电材料的光子晶体或微纳光栅结构在光纤端面的转印方法，其特征在于，用于焊接光纤端面与光子晶体表面的高分子材料为柔性材料，采用不溶于酸和丙酮的有机高分子材料。

6.按照权利要求1或2的基于金属或介电材料的光子晶体或微纳光栅结构在光纤端面的转印方法，其特征在于，光纤为玻璃光纤。

7.按照权利要求1或2的的基于金属或介电材料的光子晶体或微纳光栅结构在光纤端面的转印方法，其特征在于，光纤为石英光纤。